S tím, jak se svět stále více elektrifikuje, rozvíjí umělá inteligence a mobilita v nízkých nadmořských výškách, hledají průmyslová odvětví materiály, které umožňují vyšší účinnost, vyšší výkon a nižší energetické ztráty.
Karbid křemíku (SiC) se stal základním materiálem polovodičové technologie třetí generace. Jsou široce používány v elektrických vozidlech, fotovoltaických systémech, výkonové elektronice,
Substráty z karbidu křemíku (SiC) se staly základním materiálem pro výkonovou elektroniku příští generace díky své vynikající tepelné vodivosti, vysokému průraznému poli a vynikajícím vlastnostem.
Karbid křemíku (SiC) se stal základním materiálem pro výkonovou elektroniku, rádiová zařízení a vysokoteplotní polovodičové aplikace. Vzhledem k tomu, že poptávka po vysoce účinných elektrických vozidlech, obnovitelných zdrojích
Digitální obrazová korelace (DIC) se stala nepostradatelným nástrojem pro bezkontaktní měření deformace a napětí ve výzkumu materiálů. Při vysokoteplotních aplikacích je třeba zvolit vhodné okno.
Karbid křemíku (SiC) se stal základním materiálem pro výkonnou, vysokofrekvenční a vysokoteplotní elektroniku, zejména v elektromobilech, systémech obnovitelných zdrojů energie, rychlonabíječkách a dalších zařízeních.
Safír (monokrystalický oxid hlinitý, Al₂O₃) se stal klíčovým materiálem ve vysokoteplotní optoelektronice díky své výjimečné tepelné stabilitě, mechanické pevnosti, chemické inertnosti a
Karbid křemíku (SiC), zejména polytyp 4H-SiC, hraje díky svým vynikajícím elektrickým, tepelným a mechanickým vlastnostem základní roli ve výkonných a vysokofrekvenčních polovodičových zařízeních.
