Nachrichten
Fortschritte bei der SiC-Epitaxie: Auf dem Weg zu nahezu defektfreien Leistungsbauelementen aus Siliziumkarbid
Der Anteil von Leistungsbauelementen aus Siliziumkarbid (SiC) am Weltmarkt für Leistungselektronik steigt rapide an. Durch die Überschreitung der physikalischen Leistungsgrenzen von konventionellem Silizium