SiC-Wafer haben sich aufgrund ihrer überlegenen physikalischen und elektrischen Eigenschaften zu einem grundlegenden Material für moderne Leistungselektronik und Hochfrequenzgeräte entwickelt. Verglichen mit herkömmlichen
Mikroelektromechanische Systeme (MEMS) haben die moderne Technologie revolutioniert und ermöglichen miniaturisierte Sensoren, Aktoren und Geräte, die in der Automobil-, Medizin-, Unterhaltungselektronik- und Luft- und Raumfahrtindustrie eingesetzt werden. Das Herzstück
Silicon carbide (SiC) has emerged as a cornerstone material in high-power electronics, high-frequency devices, and harsh-environment applications. Its superior thermal conductivity, high breakdown voltage, and
Sapphire (Al₂O₃) is one of the most widely used single-crystal materials in advanced optics, semiconductors, and precision instrumentation. Its exceptional mechanical strength, chemical inertness, and
