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Schlagwort: epitaxial layer uniformity

Wie man das richtige SiC-Substrat für die Leistungselektronik auswählt

Nachrichten

Analyse der Kosten von 300-mm- gegenüber 200-mm-SiC-Wafern: Bei welchem Produktionsvolumen ist der 12-Zoll-Übergang profitabel?

Siliziumkarbid (SiC)-Wafer sind zu einem wichtigen Material für Hochleistungselektronik, Elektrofahrzeuge und moderne Halbleiterbauelemente geworden. Da die Nachfrage nach höherer Effizienz, kleineren

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Herausforderungen für 300-mm-SiC-Wafer: Die technischen Hürden der Kristallzüchtung bei größeren Durchmessern (EFG vs. PVT)

Siliziumkarbid (SiC) hat sich aufgrund seiner außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit, seiner hohen Temperaturbeständigkeit und seines hohen Wirkungsgrads zu einem der wichtigsten Materialien für Hochleistungselektronik, Elektrofahrzeuge und Halbleiterbauelemente der nächsten Generation entwickelt.