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Technischer Durchbruch und industrielle Aussichten für 14-Zoll-SiC-Substrate
Siliziumkarbid (SiC), ein Halbleitermaterial der dritten Generation, hat aufgrund seiner großen Bandlücke, seines hohen elektrischen Durchbruchsfeldes und seiner hervorragenden Wärmeleitfähigkeit große Aufmerksamkeit auf sich gezogen. Diese