SiC-Wafer sind aufgrund ihrer großen Bandlücke, ihrer hohen Wärmeleitfähigkeit und ihrer überragenden Durchschlagsfestigkeit zur Grundlage von Hochleistungs- und Hochspannungsgeräten der nächsten Generation geworden. Während
Gallium Nitride (GaN) has emerged as a cornerstone in modern electronics, particularly for high-power and high-frequency applications. Despite its increasing prevalence, the subtleties of GaN
Silicon carbide, or SiC, is a wide-bandgap semiconductor material that has gained attention for its ability to operate in high-power and high-frequency applications. Compared to
Wenn wir auf unser Smartphone tippen, LED-Lampen einschalten oder ein Elektroauto fahren, denken wir selten über die unsichtbaren Schichten nach, die die
