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Häufige Herausforderungen bei der SiC-Epitaxie und wie man sie überwindet
Siliziumkarbid (SiC), insbesondere der 4H-SiC-Polytyp, spielt aufgrund seiner ausgezeichneten elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften eine wichtige Rolle in Hochleistungs- und Hochfrequenz-Halbleiterbauelementen.