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Eine neuartige HF-freie Reinigungsmethode für Siliziumkarbid-Wafer: Mechanismus und Leistungsbewertung
Mit der rasanten Entwicklung der Leistungselektronik hat sich Siliziumkarbid (SiC) als vielversprechendes Material für die nächste Generation von Bauelementen herauskristallisiert, da es eine große Bandlücke und eine hohe