{"id":8224,"date":"2025-12-17T13:59:29","date_gmt":"2025-12-17T05:59:29","guid":{"rendered":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/?post_type=product&p=8224"},"modified":"2026-02-24T08:56:02","modified_gmt":"2026-02-24T00:56:02","slug":"12-inch-300mm-4h-6h-sic-single-crystal-silicon-carbide-wafer-for-power-electronics-led-applications","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/de\/product\/12-inch-300mm-4h-6h-sic-single-crystal-silicon-carbide-wafer-for-power-electronics-led-applications\/","title":{"rendered":"12-Zoll 300mm 4H\/6H SiC Einkristall-Siliziumkarbid-Wafer f\u00fcr Leistungselektronik und LED-Anwendungen"},"content":{"rendered":"

ZMSH 12-Zoll (300 mm) SiC-Einkristallwafer sind hochreine Halbleiter mit breiter Bandl\u00fccke, die im PVT-Verfahren (Physical Vapor Transport) hergestellt werden. Mit ihren ausgezeichneten elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften sind SiC-Wafer ideal f\u00fcr Hochleistungs-, Hochspannungs- und Hochfrequenzanwendungen sowie als Substrate f\u00fcr GaN-basierte LEDs und Laserdioden.<\/p>\n

\"\" \"\" \"\"<\/p>\n

Unsere 12-Zoll-Waffeln zeichnen sich aus durch extrem niedrige Versetzungsdichte in der Basalebene (BPD)<\/strong>, Die hohe W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit und die pr\u00e4zise kristallografische Ausrichtung gew\u00e4hrleisten eine hervorragende Leistung, Zuverl\u00e4ssigkeit und Reproduzierbarkeit der Bauteile.<\/p>\n

Wesentliche Merkmale<\/strong><\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Eigentum<\/th>\n4H-SiC<\/th>\n6H-SiC<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Kristallstruktur<\/td>\nSechseckig<\/td>\nSechseckig<\/td>\n<\/tr>\n
Gitterkonstante<\/td>\na=3,08 \u00c5, c=10,05 \u00c5<\/td>\na=3,08 \u00c5, c=15,12 \u00c5<\/td>\n<\/tr>\n
Bandl\u00fccke<\/td>\n3,23 eV<\/td>\n3,02 eV<\/td>\n<\/tr>\n
H\u00e4rte (Mohs)<\/td>\n9.2<\/td>\n9.2<\/td>\n<\/tr>\n
W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit (N-Typ, 0,02 \u03a9-cm)<\/td>\na~4,2 W\/cm-K, c~3,7 W\/cm-K<\/td>\na~4,6 W\/cm-K, c~3,2 W\/cm-K<\/td>\n<\/tr>\n
W\u00e4rmeausdehnungskoeffizient<\/td>\n4-5\u00d710-\u2076\/K<\/td>\n4-5\u00d710-\u2076\/K<\/td>\n<\/tr>\n
Dielektrizit\u00e4tskonstante<\/td>\n~9.66<\/td>\n~9.66<\/td>\n<\/tr>\n
Widerstandsf\u00e4higkeit<\/td>\n0,015-0,028 \u03a9-cm (N-Typ)<\/td>\n>1\u00d710\u2075 \u03a9-cm (halb-isolierend)<\/td>\n<\/tr>\n
Orientierung<\/td>\n, 4\u00b0 au\u00dfermittig<\/td>\n, 4\u00b0 au\u00dfermittig<\/td>\n<\/tr>\n
Polieren<\/td>\nEinseitig oder doppelseitig<\/td>\nEinseitig oder doppelseitig<\/td>\n<\/tr>\n
Oberfl\u00e4chenrauhigkeit<\/td>\nRa \u2264 5\u00c5<\/td>\nRa \u2264 5\u00c5<\/td>\n<\/tr>\n
TTV<\/td>\n\u226415 \u00b5m<\/td>\n\u226415 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n
Bogen\/Schleife<\/td>\n\u226480 \u00b5m<\/td>\n\u226480 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n
Dicke<\/td>\n0,35-1,0 mm (anpassbar)<\/td>\n0,35-1,0 mm (anpassbar)<\/td>\n<\/tr>\n
Einkristalline Zone<\/td>\n\u2265290 mm<\/td>\n\u2265290 mm<\/td>\n<\/tr>\n
EPD (Etch Pit Density)<\/td>\n\u22641\/cm\u00b2<\/td>\n\u22641\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n
Zerspanung<\/td>\n\u22642 mm<\/td>\n\u22642 mm<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Anwendungen<\/strong><\/h3>\n

1. Leistungselektronik:<\/strong><\/p>\n

    \n
  • \n

    SiC-MOSFETs, PiN-Dioden, Schottky-Dioden (SBD), JBS-Dioden, IGBTs und SiC-BJTs.<\/p>\n<\/li>\n

  • \n

    Hocheffiziente Leistungsmodule mit geringere Gr\u00f6\u00dfe, geringeres Gewicht und weniger Energieverlust<\/strong> im Vergleich zu Silizium.<\/p>\n<\/li>\n

  • \n

    Unterst\u00fctzt Ger\u00e4te, die mit hohen Spannungen (3kV-12kV) und hohen Temperaturen arbeiten.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n

    2. Optoelektronische Ger\u00e4te:<\/strong><\/p>\n

      \n
    • \n

      Substrate f\u00fcr GaN-basierte LEDs und Laserdioden<\/strong>.<\/p>\n<\/li>\n

    • \n

      Ausgezeichnete Gitteranpassung und thermische Kompatibilit\u00e4t mit GaN-Schichten verbessert Lichtausbeute<\/strong> und W\u00e4rmeabfuhr<\/strong>.<\/p>\n<\/li>\n

    • \n

      Erm\u00f6glicht vertikale Bauteilstrukturen ohne Stromdiffusionsschicht.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n

      3. Forschung und fortgeschrittene Ger\u00e4te:<\/strong><\/p>\n

        \n
      • \n

        Geeignet f\u00fcr experimentelle Forschung in BPD-Reduzierung, Hochspannungsbauelemente und SiC-Elektronik der n\u00e4chsten Generation<\/strong>.<\/p>\n<\/li>\n

      • \n

        Wird in elektronischen Ger\u00e4ten mit hohen Frequenzen und hohen Temperaturen verwendet.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n

        Vorteile<\/strong><\/h3>\n
          \n
        1. \n

          Niedrige BPD-Dichte:<\/strong><\/p>\n

            \n
          • \n

            Optimiertes PVT-Wachstum, Seed-Bonding und die Auswahl von Graphittiegeln reduzieren Versetzungen in der Basalebene unter 1000 cm-\u00b2<\/strong>, zur Verbesserung der Zuverl\u00e4ssigkeit von Hochleistungs- und Hochspannungsger\u00e4ten.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n

          • \n

            Ausgezeichnete thermische und elektrische Leistung:<\/strong><\/p>\n

              \n
            • \n

              Die hohe W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit sorgt f\u00fcr eine effektive W\u00e4rmeableitung.<\/p>\n<\/li>\n

            • \n

              Die gro\u00dfe Bandl\u00fccke und die hohe Elektronenbeweglichkeit minimieren den Energieverlust bei hoher Spannung und hohen Temperaturen.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n

            • \n

              Gro\u00dfer 12-Zoll-Durchmesser:<\/strong><\/p>\n

                \n
              • \n

                Erm\u00f6glicht die Massenproduktion von Leistungsger\u00e4ten und LED-Substraten.<\/p>\n<\/li>\n

              • \n

                Anpassbare Dicke, Widerstand und Ausrichtung f\u00fcr spezifische Anwendungen.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n

              • \n

                Hochwertiges Oberfl\u00e4chenfinish:<\/strong><\/p>\n

                  \n
                • \n

                  Einseitig oder beidseitig polierte Wafer mit sehr geringer Rauheit (Ra \u2264 5\u00c5) gew\u00e4hrleisten gleichm\u00e4\u00dfiges Epitaxiewachstum.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n

                • \n

                  Reinraum-Verpackungen:<\/strong><\/p>\n

                    \n
                  • \n

                    Jede Waffel ist einzeln verpackt in einer 100-prozentig saubere Umgebung<\/strong> um eine Kontamination zu verhindern.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ol>\n

                    FAQ<\/strong><\/h3>\n

                    Q1: Wie hoch ist die typische BPD-Dichte von 12-Zoll-SiC-Wafern des ZMSH?<\/strong>
                    A1:<\/strong> Die Versetzungsdichte in der Basalebene wird unten kontrolliert 1000 cm-\u00b2<\/strong> durch optimierte Wachstums-, K\u00fchlungs- und Seed-Bonding-Prozesse, die eine hohe Zuverl\u00e4ssigkeit der Bauteile gew\u00e4hrleisten.<\/p>\n

                    F2: Kann die Waferdicke, -ausrichtung oder -widerstandsf\u00e4higkeit angepasst werden?<\/strong>
                    A2:<\/strong> Ja. Dicke (0,35-1,0 mm), Off-Axis-Orientierung ( 4\u00b0 oder benutzerdefiniert) und Widerstand (N-Typ 0,015-0,028 \u03a9-cm oder halbisolierend >1\u00d710\u2075 \u03a9-cm) k\u00f6nnen alle angepasst werden.<\/p>\n

                    F3: Welche Vorteile bietet das SiC-Substrat f\u00fcr GaN-basierte LED-Anwendungen?<\/strong>
                    A3:<\/strong> SiC bietet Gitter- und W\u00e4rmekompatibilit\u00e4t mit GaN, erm\u00f6glicht eine vertikale Bauelementestruktur, verbessert die Lichtausbeute und das W\u00e4rmemanagement, was eine l\u00e4ngere Lebensdauer der Bauelemente erm\u00f6glicht.<\/p>\n

                    ZMSH-Engagement<\/strong><\/h3>\n

                    Die ZMSH widmet sich der Bereitstellung leistungsstarke 12-Zoll-SiC-Wafer<\/strong> mit extrem niedriger Versetzungsdichte und reproduzierbarer Qualit\u00e4t. Unsere Wafer sind ideal f\u00fcr Leistungselektronik, Optoelektronik und Halbleiterforschung der n\u00e4chsten Generation<\/strong>, mit anpassbaren Spezifikationen f\u00fcr die Bed\u00fcrfnisse von Industrie und Forschung.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                    ZMSH 12-Zoll (300 mm) SiC-Einkristallwafer sind hochreine Halbleiter mit breiter Bandl\u00fccke, die im PVT-Verfahren (Physical Vapor Transport) hergestellt werden. Mit ihren ausgezeichneten elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften sind SiC-Wafer ideal f\u00fcr Hochleistungs-, Hochspannungs- und Hochfrequenzanwendungen sowie als Substrate f\u00fcr GaN-basierte LEDs und Laserdioden.<\/p>","protected":false},"featured_media":8228,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"_acf_changed":false,"_uag_custom_page_level_css":""},"product_brand":[],"product_cat":[1091,1094,1083],"product_tag":[1535,1536,1534,1532,1533,1530,1531],"class_list":{"0":"post-8224","1":"product","2":"type-product","3":"status-publish","4":"has-post-thumbnail","6":"product_cat-4h-n","7":"product_cat-6h-n","8":"product_cat-sic-wafer","9":"product_tag-12-inch-4h-sic","10":"product_tag-12-inch-6h-sic","11":"product_tag-12-inch-sic-ingot","12":"product_tag-12-inch-sic-single-crystal","13":"product_tag-12-inch-sic-substrate","14":"product_tag-12-inch-sic-wafer","15":"product_tag-12-inch-silicon-carbide","17":"first","18":"instock","19":"shipping-taxable","20":"product-type-simple"},"acf":[],"uagb_featured_image_src":{"full":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/12-Inch-300mm-4H6H-SiC-Single-Crystal-Silicon-Carbide-Wafer-for-Power-LED-Devices1.webp",1000,1000,false],"thumbnail":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/12-Inch-300mm-4H6H-SiC-Single-Crystal-Silicon-Carbide-Wafer-for-Power-LED-Devices1-150x150.webp",150,150,true],"medium":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/12-Inch-300mm-4H6H-SiC-Single-Crystal-Silicon-Carbide-Wafer-for-Power-LED-Devices1-300x300.webp",300,300,true],"medium_large":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/12-Inch-300mm-4H6H-SiC-Single-Crystal-Silicon-Carbide-Wafer-for-Power-LED-Devices1-768x768.webp",768,768,true],"large":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/12-Inch-300mm-4H6H-SiC-Single-Crystal-Silicon-Carbide-Wafer-for-Power-LED-Devices1.webp",800,800,false],"1536x1536":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/12-Inch-300mm-4H6H-SiC-Single-Crystal-Silicon-Carbide-Wafer-for-Power-LED-Devices1.webp",1000,1000,false],"2048x2048":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/12-Inch-300mm-4H6H-SiC-Single-Crystal-Silicon-Carbide-Wafer-for-Power-LED-Devices1.webp",1000,1000,false],"trp-custom-language-flag":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/12-Inch-300mm-4H6H-SiC-Single-Crystal-Silicon-Carbide-Wafer-for-Power-LED-Devices1.webp",12,12,false],"woocommerce_thumbnail":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/12-Inch-300mm-4H6H-SiC-Single-Crystal-Silicon-Carbide-Wafer-for-Power-LED-Devices1-300x300.webp",300,300,true],"woocommerce_single":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/12-Inch-300mm-4H6H-SiC-Single-Crystal-Silicon-Carbide-Wafer-for-Power-LED-Devices1-600x600.webp",600,600,true],"woocommerce_gallery_thumbnail":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2025\/12\/12-Inch-300mm-4H6H-SiC-Single-Crystal-Silicon-Carbide-Wafer-for-Power-LED-Devices1-100x100.webp",100,100,true]},"uagb_author_info":{"display_name":"lydia","author_link":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/de\/author\/"},"uagb_comment_info":0,"uagb_excerpt":"ZMSH 12-inch (300mm) SiC single crystal wafers are high-purity, wide-bandgap semiconductors produced via Physical Vapor Transport (PVT) method. With excellent electrical, thermal, and mechanical properties, SiC wafers are ideal for high-power, high-voltage, and high-frequency applications, as well as GaN-based LED and laser diode substrates.","_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/8224","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/product"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=8224"}],"version-history":[{"count":3,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/8224\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":8233,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product\/8224\/revisions\/8233"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/8228"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=8224"}],"wp:term":[{"taxonomy":"product_brand","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_brand?post=8224"},{"taxonomy":"product_cat","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_cat?post=8224"},{"taxonomy":"product_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/product_tag?post=8224"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}