{"id":6116,"date":"2024-02-20T09:35:13","date_gmt":"2024-02-20T01:35:13","guid":{"rendered":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/?p=6116"},"modified":"2024-02-20T09:35:16","modified_gmt":"2024-02-20T01:35:16","slug":"sic-substrate-used-in-optoelectronics-4h-n-4h-s","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/es\/sic-substrate-used-in-optoelectronics-4h-n-4h-s\/","title":{"rendered":"Sustrato de SiC utilizado en optoelectr\u00f3nica 4H-N 4H-Semi 350um 500um EL MEJOR material semiconductor"},"content":{"rendered":"
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Resumen del sustrato 4H-N 4H-Semi SiC<\/h2>\n\n\n\n
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\"Sustrato<\/a><\/figure>\n<\/div>\n\n\n\n
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\"\"<\/a><\/figure>\n<\/div>\n<\/div>\n\n\n\n

Los sustratos 4H-N y 4H-Semi SiC son materiales clave en el campo de la tecnolog\u00eda de semiconductores, ya que ofrecen propiedades \u00fanicas y aplicaciones prometedoras. El carburo de silicio (SiC) es un material semiconductor de banda ancha conocido por sus excelentes propiedades el\u00e9ctricas, t\u00e9rmicas y mec\u00e1nicas. La estructura cristalina 4H del SiC proporciona propiedades electr\u00f3nicas espec\u00edficas adecuadas para diversos dispositivos electr\u00f3nicos y optoelectr\u00f3nicos.<\/p>\n\n\n\n

Los sustratos de SiC 4H-N suelen ser semiconductores de tipo n, en los que los dopantes de nitr\u00f3geno (N) introducen un exceso de electrones en la red cristalina, lo que los hace adecuados para aplicaciones que requieren conducci\u00f3n de electrones. Estos sustratos tienen aplicaciones en electr\u00f3nica de potencia, dispositivos de alta frecuencia y optoelectr\u00f3nica debido a su elevada movilidad de electrones y baja resistencia a la conexi\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n

Por otra parte, los sustratos 4H-Semi SiC presentan un comportamiento semi-aislante, lo que los hace ideales para aplicaciones de alta potencia y alta temperatura. Las propiedades semiaislantes se deben a defectos intr\u00ednsecos o al dopaje intencionado con impurezas profundas, lo que da lugar a una alta resistividad y una conducci\u00f3n electr\u00f3nica m\u00ednima. Estos sustratos se utilizan ampliamente en dispositivos de radiofrecuencia (RF) de alta potencia, electr\u00f3nica de microondas y sensores para entornos dif\u00edciles.<\/p>\n\n\n\n

La fabricaci\u00f3n de 4H-N y 4H-Semi Sustratos de SiC<\/a> implica t\u00e9cnicas avanzadas de crecimiento como el transporte f\u00edsico de vapor (PVT), la deposici\u00f3n qu\u00edmica de vapor (CVD) o la epitaxia por sublimaci\u00f3n. Estas t\u00e9cnicas permiten controlar con precisi\u00f3n la estructura cristalina del material, su pureza y la concentraci\u00f3n de dopantes, lo que da lugar a sustratos con propiedades el\u00e9ctricas y estructurales superiores.<\/p>\n\n\n\n

En los \u00faltimos a\u00f1os ha crecido el inter\u00e9s por utilizar Sustratos de SiC<\/a> para dispositivos electr\u00f3nicos y fot\u00f3nicos de pr\u00f3xima generaci\u00f3n. La combinaci\u00f3n \u00fanica de energ\u00eda de banda prohibida ancha, alto voltaje de ruptura y estabilidad t\u00e9rmica hace que los sustratos de SiC sean muy deseables para aplicaciones en electr\u00f3nica de potencia, comunicaciones de RF y fot\u00f3nica. Adem\u00e1s, las investigaciones en curso pretenden optimizar los procesos de crecimiento y las propiedades de los materiales de los sustratos de SiC para liberar todo su potencial en tecnolog\u00edas emergentes como la computaci\u00f3n cu\u00e1ntica, los l\u00e1seres de alta potencia y la fot\u00f3nica integrada.<\/p>\n\n\n\n

En conclusi\u00f3n, los sustratos de SiC 4H-N y 4H-Semi son componentes esenciales de una amplia gama de dispositivos semiconductores y ofrecen claras ventajas en cuanto a rendimiento el\u00e9ctrico, gesti\u00f3n t\u00e9rmica y fiabilidad. Los continuos avances en la tecnolog\u00eda de sustratos de SiC son muy prometedores para impulsar la innovaci\u00f3n en diversos campos, allanando el camino hacia sistemas electr\u00f3nicos y optoelectr\u00f3nicos m\u00e1s eficientes y robustos.<\/p>\n\n\n\n

Tabla de datos parciales del sustrato 4H-N 4H-Semi SiC<\/h2>\n\n\n\n

Di\u00e1metro\uff1a2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas, 6 pulgadas u otros.<\/p>\n\n\n\n

Grado<\/td>Cero MPD Grado<\/td>Grado de producci\u00f3n<\/td>Grado de investigaci\u00f3n<\/td>Grado ficticio<\/td><\/tr>
Di\u00e1metro<\/td>150,0 mm +\/- 0,2 mm<\/td><\/tr>
Espesor<\/td>500 um +\/- 25 um para 4H-SI350 um +\/- 25 um para 4H-N<\/td><\/tr>
Orientaci\u00f3n de las obleas<\/td>En eje: +\/- 0.5 deg para 4H-SIOff eje: 4,0 grados hacia +\/-0,5 grados para 4H-N<\/td><\/tr>
Densidad de micropipeta (MPD)<\/td>1 cm-2<\/sup><\/td>5 cm-2<\/sup><\/td>15 cm-2<\/sup><\/td>30 cm-2<\/sup><\/td><\/tr>
Resistividad el\u00e9ctrica (Ohm-cm)<\/td>4H-N<\/td>0.015~0.025<\/td><\/tr>
4H-SI<\/td>>1E5 <\/td>(90%) >1E5 <\/td><\/tr>
Concentraci\u00f3n de dopaje<\/td>Tipo N: ~ 1E18\/cm3 Tipo IS (dopado en V): ~ 5E18\/cm3<\/td><\/tr>
Plano primario (tipo N)<\/td>{10-10} +\/- 5,0 grados<\/td><\/tr>
Longitud plana primaria (tipo N)<\/td>47,5 mm +\/- 2,0 mm<\/td><\/tr>
Muesca (tipo semiaislante)<\/td>Muesca<\/td><\/tr>
Exclusi\u00f3n de bordes<\/td>3 mm<\/td><\/tr>
TTV \/Bow \/Warp<\/td>15um \/40um \/60um<\/td><\/tr>
Rugosidad superficial<\/td>Ra polaco 1 nm<\/td><\/tr>
CMP Ra 0,5 nm en la cara de Si<\/td><\/tr>
Grietas por luz de alta intensidad<\/td>Ninguno<\/td>Ninguno<\/td>1 permitido, 2 mm<\/td>Longitud acumulada 10 mm, longitud \u00fanica 2 mm<\/td><\/tr>
Placas hexagonales mediante luz de alta intensidad*.<\/td>Superficie acumulada 0,05 %<\/td>Superficie acumulada 0,05 %<\/td>Superficie acumulada 0,05 %<\/td>Superficie acumulada 0,1 %<\/td><\/tr>
Poliotipo Zonas con luz de alta intensidad*.<\/td>Ninguno<\/td>Ninguno<\/td>Superficie acumulada 2%<\/td>Superficie acumulada 5%<\/td><\/tr>
Ara\u00f1azos por luz de alta intensidad**<\/td>3 ara\u00f1azos a 1 x di\u00e1metro de la oblea longitud acumulada<\/td>3 ara\u00f1azos a 1 x di\u00e1metro de la oblea longitud acumulada<\/td>5 ara\u00f1azos a 1 x di\u00e1metro de la oblea longitud acumulada<\/td>5 ara\u00f1azos a 1 x di\u00e1metro de la oblea longitud acumulada<\/td><\/tr>
Chip de borde<\/td><\/td>Ninguno<\/td>3 permitidos, 0,5 mm cada uno<\/td>5 permitidos, 1 mm cada uno<\/td><\/tr>
Contaminaci\u00f3n por luz de alta intensidad<\/td>Ninguno<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

Aplicaci\u00f3n del sustrato 4H-N 4H-Semi SiC<\/h2>\n\n\n\n
    \n
  1. Electr\u00f3nica de potencia:<\/strong> Los sustratos de SiC 4H-N se utilizan ampliamente en dispositivos electr\u00f3nicos de potencia como los MOSFET (transistores de efecto de campo semiconductores de \u00f3xido met\u00e1lico), los diodos Schottky y los IGBT (transistores bipolares de puerta aislada). Su elevada movilidad electr\u00f3nica y baja resistencia a la conexi\u00f3n los hacen id\u00f3neos para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia, como veh\u00edculos el\u00e9ctricos, sistemas de energ\u00edas renovables y accionamientos de motores industriales.<\/li>\n\n\n\n
  2. Electr\u00f3nica de radiofrecuencia y microondas:<\/strong> Los sustratos de SiC 4H-N y 4H-Semi se utilizan mucho en electr\u00f3nica de radiofrecuencia (RF) y microondas por su alta tensi\u00f3n de ruptura, conductividad t\u00e9rmica y propiedades semiaislantes. Se emplean en amplificadores de potencia de RF, transistores de microondas e interruptores de alta frecuencia para telecomunicaciones, comunicaciones por sat\u00e9lite y sistemas de radar.<\/li>\n\n\n\n
  3. Optoelectr\u00f3nica:<\/strong> Los sustratos de SiC se emplean cada vez m\u00e1s en dispositivos optoelectr\u00f3nicos como fotodetectores UV, LED (diodos emisores de luz) y circuitos integrados fot\u00f3nicos (PIC) basados en SiC. La amplia banda prohibida y la elevada conductividad t\u00e9rmica del SiC permiten desarrollar eficientes detectores UV y LED de alto brillo para aplicaciones aeroespaciales, de automoci\u00f3n y de imagen m\u00e9dica.<\/li>\n\n\n\n
  4. Electr\u00f3nica de alta temperatura:<\/strong> Sustratos 4H-Semi SiC<\/a>, Gracias a sus propiedades semiaislantes y a su estabilidad t\u00e9rmica, son id\u00f3neos para aplicaciones electr\u00f3nicas a altas temperaturas. Se utilizan en sensores de perforaci\u00f3n de pozos, sistemas de control de turbinas de gas y electr\u00f3nica aeroespacial, donde los dispositivos tradicionales basados en silicio pueden fallar en condiciones extremas de temperatura.<\/li>\n\n\n\n
  5. Sensores para entornos hostiles:<\/strong> Los sustratos de SiC son ideales para fabricar sensores para entornos dif\u00edciles, como altas temperaturas, radiaci\u00f3n y atm\u00f3sferas corrosivas. Se utilizan en reactores nucleares, plantas de procesamiento qu\u00edmico y misiones de exploraci\u00f3n espacial para controlar la temperatura, la presi\u00f3n y las concentraciones de gas con gran precisi\u00f3n y fiabilidad.<\/li>\n\n\n\n
  6. Fot\u00f3nica integrada:<\/strong> Se est\u00e1 investigando la integraci\u00f3n de sustratos de SiC con dispositivos fot\u00f3nicos para aplicaciones en fot\u00f3nica integrada y procesamiento cu\u00e1ntico de la informaci\u00f3n. Los circuitos fot\u00f3nicos basados en SiC ofrecen ventajas como una baja p\u00e9rdida \u00f3ptica, un elevado manejo de la potencia y compatibilidad con los procesos de fabricaci\u00f3n de semiconductores existentes, lo que permite el desarrollo de sistemas avanzados de comunicaci\u00f3n \u00f3ptica y tecnolog\u00edas de computaci\u00f3n cu\u00e1ntica.<\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n

    En resumen, 4H-N y 4H-Semi Sustratos de SiC<\/a> tienen diversas aplicaciones en electr\u00f3nica de potencia (PE), radiofrecuencia (RF) y microondas (MW), optoelectr\u00f3nica (OE), electr\u00f3nica de alta temperatura (HTE), detecci\u00f3n en entornos hostiles (HES) y fot\u00f3nica integrada (IP). Su combinaci\u00f3n \u00fanica de propiedades el\u00e9ctricas (EL), t\u00e9rmicas (TH) y mec\u00e1nicas (ME) los hace indispensables para hacer posible la pr\u00f3xima generaci\u00f3n de sistemas electr\u00f3nicos (E) y fot\u00f3nicos (P) en diversos sectores.<\/p>\n\n\n\n

    Propiedades del sustrato 4H-N 4H-Semi SiC<\/h2>\n\n\n\n
      \n
    1. Propiedades el\u00e9ctricas:<\/strong>\n
        \n
      • Los sustratos de SiC 4H-N presentan una conductividad de tipo n debido a la presencia de dopantes de nitr\u00f3geno, que proporcionan un exceso de electrones para la conducci\u00f3n electr\u00f3nica.<\/li>\n\n\n\n
      • Los sustratos 4H-Semi SiC presentan un comportamiento semiaislante, caracterizado por una elevada resistividad y una m\u00ednima conducci\u00f3n electr\u00f3nica, lo que resulta esencial para determinadas aplicaciones electr\u00f3nicas y optoelectr\u00f3nicas.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n\n\n\n
      • Bandgap:<\/strong>\n
          \n
        • Tanto los sustratos 4H-N como los 4H-Semi SiC tienen una banda prohibida ancha, normalmente de unos 3,0 eV en el caso del 4H-SiC, lo que permite su uso en dispositivos de alta potencia y alta frecuencia y en aplicaciones optoelectr\u00f3nicas.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n\n\n\n
        • Conductividad t\u00e9rmica:<\/strong>\n
            \n
          • Los sustratos de SiC poseen una elevada conductividad t\u00e9rmica, lo que permite una disipaci\u00f3n eficaz del calor generado durante el funcionamiento del dispositivo. Esta propiedad es crucial para mantener la fiabilidad y el rendimiento del dispositivo, especialmente en aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n\n\n\n
          • Propiedades mec\u00e1nicas:<\/strong>\n
              \n
            • Los sustratos de SiC presentan excelentes propiedades mec\u00e1nicas, como alta dureza, rigidez e inercia qu\u00edmica. Estas propiedades los hacen resistentes al desgaste mec\u00e1nico y a la corrosi\u00f3n, garantizando la fiabilidad del dispositivo a largo plazo en condiciones de funcionamiento dif\u00edciles.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n\n\n\n
            • Estructura cristalina:<\/strong>\n
                \n
              • Tanto los sustratos 4H-N como los 4H-Semi SiC tienen una estructura cristalina hexagonal (4H polit\u00edpica), que influye en sus propiedades electr\u00f3nicas y en el rendimiento de los dispositivos. La estructura cristalina 4H proporciona una alineaci\u00f3n de bandas electr\u00f3nicas y una movilidad de portadores espec\u00edficas adecuadas para diversos dispositivos semiconductores.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n\n\n\n
              • Morfolog\u00eda superficial:<\/strong>\n
                  \n
                • Los sustratos de SiC suelen tener una morfolog\u00eda superficial lisa con baja densidad de defectos, lo que facilita el crecimiento de capas epitaxiales de alta calidad y la fabricaci\u00f3n de dispositivos de alto rendimiento.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n\n\n\n
                • Estabilidad qu\u00edmica:<\/strong>\n
                    \n
                  • Los sustratos de SiC presentan una gran estabilidad qu\u00edmica, lo que los hace resistentes a la degradaci\u00f3n cuando se exponen a entornos corrosivos o a sustancias qu\u00edmicas reactivas. Esta propiedad es ventajosa para aplicaciones que requieren fiabilidad y estabilidad de los dispositivos a largo plazo.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n\n\n\n
                  • Propiedades \u00f3pticas:<\/strong>\n
                      \n
                    • Los sustratos de SiC tienen propiedades \u00f3pticas que var\u00edan con la concentraci\u00f3n de dopante y la orientaci\u00f3n del cristal. Estas propiedades son esenciales para aplicaciones optoelectr\u00f3nicas como LED, fotodetectores y sensores \u00f3pticos.<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n

                      En resumen, los sustratos 4H-N y 4H-Semi SiC poseen una combinaci\u00f3n \u00fanica de propiedades el\u00e9ctricas, t\u00e9rmicas, mec\u00e1nicas y \u00f3pticas, lo que los hace muy adecuados para una amplia gama de aplicaciones electr\u00f3nicas y fot\u00f3nicas en diversas industrias.<\/p>\n\n\n\n

                      PREGUNTAS Y RESPUESTAS<\/h2>\n\n\n\n

                      \u00bfCu\u00e1l es la diferencia entre 4H-SiC y 6H-SiC?<\/h2>\n\n\n\n

                      Todos los dem\u00e1s tipos de SiC son una mezcla de enlaces zinc-blenda y wurtzita. El 4H-SiC est\u00e1 formado por el mismo n\u00famero de enlaces c\u00fabicos y hexagonales con una secuencia de apilamiento ABCB. El 6H-SiC se compone de dos tercios de enlaces c\u00fabicos y un tercio de enlaces hexagonales con secuencias de apilamiento ABCACB.<\/p>\n\n\n\n

                      \u00bfQu\u00e9 es un sustrato de SiC?<\/h2>\n\n\n\n

                      \u00bfQu\u00e9 son las obleas y los sustratos de carburo de silicio (SiC)? Las obleas y los sustratos de carburo de silicio (SiC) son\u00a0materiales especializados utilizados en la tecnolog\u00eda de semiconductores a base de carburo de silicio<\/strong>, un compuesto conocido por su alta conductividad t\u00e9rmica, su excelente resistencia mec\u00e1nica y su amplia banda prohibida.<\/p>\n\n\n\n

                      Un sustrato de SiC, o sustrato de carburo de silicio, es un material cristalino utilizado como cimiento o base sobre la que se fabrican dispositivos semiconductores. Se compone de \u00e1tomos de silicio y carbono dispuestos en una estructura de red cristalina, que suele presentar una estructura cristalina hexagonal o c\u00fabica. Los sustratos de SiC est\u00e1n dise\u00f1ados para tener propiedades el\u00e9ctricas, t\u00e9rmicas y mec\u00e1nicas espec\u00edficas que los hacen muy adecuados para una amplia gama de aplicaciones electr\u00f3nicas y optoelectr\u00f3nicas.<\/p>\n\n\n\n

                      Los sustratos de SiC ofrecen varias ventajas con respecto a los materiales semiconductores tradicionales como el silicio (Si), entre ellas:<\/p>\n\n\n\n

                        \n
                      1. Banda ancha:<\/strong> El SiC tiene una amplia banda prohibida, normalmente de entre 2,9 y 3,3 electronvoltios (eV), lo que permite fabricar dispositivos de alta potencia, alta temperatura y alta frecuencia. Esta amplia banda prohibida permite que los dispositivos funcionen eficientemente a temperaturas y voltajes m\u00e1s altos, minimizando al mismo tiempo la corriente de fuga.<\/li>\n\n\n\n
                      2. Alta conductividad t\u00e9rmica:<\/strong> Los sustratos de SiC tienen una excelente conductividad t\u00e9rmica, lo que permite una disipaci\u00f3n eficaz del calor generado durante el funcionamiento del dispositivo. Esta propiedad es fundamental para mantener la fiabilidad y el rendimiento del dispositivo, especialmente en aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.<\/li>\n\n\n\n
                      3. Estabilidad qu\u00edmica:<\/strong> El SiC es qu\u00edmicamente estable y resistente a la corrosi\u00f3n, por lo que resulta adecuado para su uso en entornos agresivos y procesos qu\u00edmicos reactivos. Esta estabilidad garantiza la fiabilidad y estabilidad del dispositivo a largo plazo en diversas condiciones de funcionamiento.<\/li>\n\n\n\n
                      4. Dureza mec\u00e1nica:<\/strong> Los sustratos de SiC presentan una gran dureza y rigidez mec\u00e1nicas, adem\u00e1s de resistencia al desgaste mec\u00e1nico y a la deformaci\u00f3n. Estas propiedades contribuyen a la durabilidad y longevidad de los dispositivos fabricados en sustratos de SiC.<\/li>\n\n\n\n
                      5. Alta tensi\u00f3n de ruptura:<\/strong> Los dispositivos de SiC pueden soportar tensiones de ruptura m\u00e1s elevadas que los basados en silicio, lo que permite dise\u00f1ar dispositivos electr\u00f3nicos de potencia y de alta tensi\u00f3n m\u00e1s robustos y fiables.<\/li>\n\n\n\n
                      6. Alta movilidad de electrones:<\/strong> Los sustratos de SiC tienen una elevada movilidad de electrones, lo que se traduce en un transporte de electrones m\u00e1s r\u00e1pido y mayores velocidades de conmutaci\u00f3n en los dispositivos electr\u00f3nicos. Esta propiedad es ventajosa para aplicaciones que requieren un funcionamiento de alta frecuencia y velocidades de conmutaci\u00f3n r\u00e1pidas.<\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n

                        En general, los sustratos de SiC desempe\u00f1an un papel crucial en el desarrollo de dispositivos semiconductores avanzados para aplicaciones de electr\u00f3nica de potencia, comunicaciones por radiofrecuencia (RF), optoelectr\u00f3nica, electr\u00f3nica de alta temperatura y detecci\u00f3n en entornos dif\u00edciles, entre otras. Su combinaci\u00f3n \u00fanica de propiedades el\u00e9ctricas, t\u00e9rmicas y mec\u00e1nicas los hace indispensables para hacer posible la pr\u00f3xima generaci\u00f3n de sistemas electr\u00f3nicos y fot\u00f3nicos en diversas industrias.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                        4H-N 4H-Semi SiC substrate’s abstract 4H-N and 4H-Semi SiC substrates are key materials in the field of semiconductor technology, offering unique properties and promising applications. Silicon carbide (SiC) is a wide-bandgap semiconductor material known for its excellent electrical, thermal, and mechanical properties. The 4H crystal structure of SiC provides specific electronic properties suitable for various […]<\/p>\n","protected":false},"author":2,"featured_media":6121,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"_uag_custom_page_level_css":"","footnotes":""},"categories":[11,41,1],"tags":[],"class_list":["post-6116","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-products","category-sic-wafer-sic-substrate","category-uncategorized"],"acf":[],"uagb_featured_image_src":{"full":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2024\/02\/1708392886-IMG_3314\u5927-jpeg.webp",1280,1280,false],"thumbnail":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2024\/02\/1708392886-IMG_3314\u5927-jpeg.webp",150,150,false],"medium":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2024\/02\/1708392886-IMG_3314\u5927-jpeg.webp",300,300,false],"medium_large":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2024\/02\/1708392886-IMG_3314\u5927-jpeg.webp",768,768,false],"large":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2024\/02\/1708392886-IMG_3314\u5927-jpeg.webp",800,800,false],"1536x1536":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2024\/02\/1708392886-IMG_3314\u5927-jpeg.webp",1280,1280,false],"2048x2048":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2024\/02\/1708392886-IMG_3314\u5927-jpeg.webp",1280,1280,false],"trp-custom-language-flag":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2024\/02\/1708392886-IMG_3314\u5927-jpeg.webp",12,12,false],"woocommerce_thumbnail":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2024\/02\/1708392886-IMG_3314\u5927-jpeg.webp",300,300,false],"woocommerce_single":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2024\/02\/1708392886-IMG_3314\u5927-jpeg.webp",600,600,false],"woocommerce_gallery_thumbnail":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2024\/02\/1708392886-IMG_3314\u5927-jpeg.webp",100,100,false]},"uagb_author_info":{"display_name":"lydia","author_link":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/es\/author\/lydia\/"},"uagb_comment_info":0,"uagb_excerpt":"4H-N 4H-Semi SiC substrate’s abstract 4H-N and 4H-Semi SiC substrates are key materials in the field of semiconductor technology, offering unique properties and promising applications. Silicon carbide (SiC) is a wide-bandgap semiconductor material known for its excellent electrical, thermal, and mechanical properties. The 4H crystal structure of SiC provides specific electronic properties suitable for various…","_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/6116","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/2"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=6116"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/6116\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":6122,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/6116\/revisions\/6122"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/6121"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=6116"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=6116"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=6116"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}