{"id":8968,"date":"2026-06-09T11:41:47","date_gmt":"2026-06-09T03:41:47","guid":{"rendered":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/?post_type=product&p=8968"},"modified":"2026-06-17T14:04:20","modified_gmt":"2026-06-17T06:04:20","slug":"device-grade-hbn-single-crystal-for-advanced-electronic-and-photonic-applications","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/es\/product\/device-grade-hbn-single-crystal-for-advanced-electronic-and-photonic-applications\/","title":{"rendered":"Cristal \u00fanico de hBN de calidad para dispositivos, destinado a aplicaciones electr\u00f3nicas y fot\u00f3nicas avanzadas"},"content":{"rendered":"

El monocristal de hBN de grado para dispositivos es un material de nitruro de boro hexagonal de primera calidad desarrollado para la investigaci\u00f3n avanzada en semiconductores, materiales bidimensionales, electr\u00f3nica de grafeno y dispositivos fot\u00f3nicos de pr\u00f3xima generaci\u00f3n. Producidos mediante un proceso patentado de crecimiento de cristales a presi\u00f3n atmosf\u00e9rica, estos cristales de hBN de alta calidad presentan una excelente cristalinidad, baja densidad de defectos, propiedades diel\u00e9ctricas sobresalientes y un rendimiento \u00f3ptico excepcional.<\/p>\n

Como material en capas de banda ancha, el hBN se ha convertido en uno de los componentes fundamentales m\u00e1s importantes en el campo de los materiales bidimensionales, que est\u00e1 experimentando un r\u00e1pido crecimiento. Su superficie at\u00f3micamente lisa, su estabilidad qu\u00edmica y su excelente aislamiento el\u00e9ctrico lo convierten en un sustrato y una capa de encapsulaci\u00f3n ideales para el grafeno y otros materiales de van der Waals.<\/p>\n

Nuestros cristales de hBN para dispositivos se suministran en forma de monocristales a granel a escala milim\u00e9trica con facetas de crecimiento natural, lo que proporciona a los investigadores y desarrolladores tecnol\u00f3gicos una plataforma fiable para la fabricaci\u00f3n de dispositivos de alto rendimiento.<\/p>\n

\"Cristal \"Cristal \"Cristal<\/p>\n

\n
\n<\/div>\n

Ventajas principales<\/h2>\n

Calidad excepcional del cristal<\/h3>\n

El crecimiento de cristales, cuidadosamente controlado, da lugar a grandes dominios monocristalinos con una excelente integridad estructural y bajos niveles de impurezas.<\/p>\n

Ideal para dispositivos de grafeno<\/h3>\n

La superficie at\u00f3micamente plana minimiza la dispersi\u00f3n de los portadores y permite la fabricaci\u00f3n de dispositivos electr\u00f3nicos de grafeno con una movilidad ultraalta.<\/p>\n

Excelente aislamiento el\u00e9ctrico<\/h3>\n

Su elevada resistencia diel\u00e9ctrica permite un funcionamiento fiable en dispositivos nanoelectr\u00f3nicos y cu\u00e1nticos avanzados.<\/p>\n

Propiedades \u00f3pticas superiores<\/h3>\n

El material presenta una intensa emisi\u00f3n en el borde de la banda ultravioleta y unas excelentes caracter\u00edsticas \u00f3pticas, lo que lo hace id\u00f3neo para aplicaciones fot\u00f3nicas.<\/p>\n

Exfoliaci\u00f3n f\u00e1cil<\/h3>\n

La estructura cristalina en capas permite la obtenci\u00f3n de finas l\u00e1minas de hBN para la investigaci\u00f3n y la fabricaci\u00f3n de dispositivos.<\/p>\n

\n
\n<\/div>\n

Especificaciones t\u00e9cnicas<\/h2>\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Propiedad<\/th>\nValor<\/th>\n<\/tr>\n
Material<\/td>\nNitruro de boro hexagonal (hBN)<\/td>\n<\/tr>\n
Tipo de cristal<\/td>\nMonocristal<\/td>\n<\/tr>\n
Grado<\/td>\nCategor\u00eda del dispositivo<\/td>\n<\/tr>\n
M\u00e9todo de crecimiento<\/td>\nT\u00e9cnica patentada de crecimiento a presi\u00f3n atmosf\u00e9rica<\/td>\n<\/tr>\n
Forma cristalina<\/td>\nCristales a granel<\/td>\n<\/tr>\n
Tama\u00f1o lateral t\u00edpico<\/td>\n\u2265 1 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Estado de la superficie<\/td>\nSuperficie de crecimiento natural<\/td>\n<\/tr>\n
Tipo de paquete<\/td>\nPortachips<\/td>\n<\/tr>\n
Cantidad por paquete<\/td>\n5\u201310 cristales<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Caracter\u00edsticas el\u00e9ctricas<\/h3>\n\n\n\n\n
Par\u00e1metro<\/td>\nValor t\u00edpico<\/td>\n<\/tr>\n
Campo de ruptura diel\u00e9ctrica<\/td>\n1,64 \u00b1 0,06 V\/nm<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Caracter\u00edsticas \u00f3pticas<\/h3>\n\n\n\n\n\n\n
Par\u00e1metro<\/td>\nValor t\u00edpico<\/td>\n<\/tr>\n
Emisi\u00f3n en el borde de la banda UV<\/td>\nAproximadamente 215 nm<\/td>\n<\/tr>\n
Transparencia \u00f3ptica<\/td>\nAlta<\/td>\n<\/tr>\n
Calidad de la luminiscencia<\/td>\nNivel de investigaci\u00f3n avanzada<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Propiedades del efecto Raman<\/h3>\n\n\n\n\n
Par\u00e1metro<\/td>\nValor t\u00edpico<\/td>\n<\/tr>\n
Ancho de l\u00ednea del pico Raman de E\u2082g<\/td>\n7,88 cm\u207b\u00b9<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Rendimiento de referencia de los dispositivos de grafeno<\/h3>\n\n\n\n\n\n
Par\u00e1metro<\/td>\nValor t\u00edpico<\/td>\n<\/tr>\n
Movilidad del grafeno a temperatura ambiente<\/td>\nAproximadamente 80 000 cm\u00b2\/V\u00b7s<\/td>\n<\/tr>\n
Densidad de portadores<\/td>\n1 \u00d7 10\u00b9\u00b2 cm\u207b\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\"Cristal<\/p>\n

 <\/p>\n

 <\/p>\n

Aplicaciones<\/h2>\n

Electr\u00f3nica de grafeno<\/h3>\n

Se utiliza ampliamente como sustrato ultraplano y capa de encapsulaci\u00f3n para transistores de grafeno, sensores y dispositivos electr\u00f3nicos de alta velocidad.<\/p>\n

Investigaci\u00f3n sobre materiales bidimensionales<\/h3>\n

Adecuado para la construcci\u00f3n de heteroestructuras de van der Waals que incluyan grafeno, MoS\u2082, WS\u2082, WSe\u2082 y otros materiales en capas.<\/p>\n

Dispositivos cu\u00e1nticos<\/h3>\n

Ofrece una plataforma ideal para el estudio del transporte cu\u00e1ntico, los sistemas electr\u00f3nicos correlacionados y las tecnolog\u00edas cu\u00e1nticas avanzadas.<\/p>\n

Nanofot\u00f3nica<\/h3>\n

Permite el estudio de los fen\u00f3menos de fonones-polaritones y la manipulaci\u00f3n de la luz a escala nanom\u00e9trica para dispositivos fot\u00f3nicos de pr\u00f3xima generaci\u00f3n.<\/p>\n

Tecnolog\u00edas de ultravioleta profundo<\/h3>\n

Las propiedades intr\u00ednsecas de emisi\u00f3n de rayos UV del hBN lo convierten en un material muy interesante para detectores y emisores de rayos UV profundos, as\u00ed como para la investigaci\u00f3n \u00f3ptica.<\/p>\n

Investigaci\u00f3n Avanzada en Semiconductores<\/h3>\n

Se utiliza en universidades, laboratorios nacionales y centros industriales de I+D que trabajan en las tecnolog\u00edas de semiconductores del futuro.<\/p>\n

\n
\n<\/div>\n

\u00bfPor qu\u00e9 elegir monocristal de hBN apto para dispositivos?<\/h2>\n
    \n
  • Material monocristalino de alta pureza<\/li>\n
  • Dominios de cristal de gran tama\u00f1o aptos para su uso<\/li>\n
  • Excelente aislamiento el\u00e9ctrico<\/li>\n
  • Propiedades \u00f3pticas excepcionales<\/li>\n
  • Rendimiento contrastado en dispositivos de grafeno<\/li>\n
  • Adecuado para la investigaci\u00f3n avanzada y el desarrollo de prototipos<\/li>\n
  • Embalaje y manipulaci\u00f3n fiables<\/li>\n
  • Disponible para selecci\u00f3n personalizada<\/li>\n<\/ul>\n

    \"Cristal<\/p>\n

    \n
    \n<\/div>\n

    Informaci\u00f3n sobre el embalaje<\/h2>\n

    Los monocristales de hBN para aplicaciones electr\u00f3nicas se embalan cuidadosamente en soportes protectores para chips con el fin de evitar la contaminaci\u00f3n y los da\u00f1os mec\u00e1nicos durante el transporte y el almacenamiento.<\/p>\n

    Ofrecemos servicios personalizados de embalaje y selecci\u00f3n de cristaler\u00eda seg\u00fan las necesidades del cliente.<\/p>\n

    \n
    \n<\/div>\n

    PREGUNTAS FRECUENTES<\/h2>\n

    \u00bfQu\u00e9 es el hBN de grado de dispositivo?<\/h3>\n

    El hBN de grado para dispositivos es una forma monocristalina de alta calidad de nitruro de boro hexagonal, desarrollada espec\u00edficamente para aplicaciones en dispositivos electr\u00f3nicos, fot\u00f3nicos y cu\u00e1nticos avanzados.<\/p>\n

    \u00bfPor qu\u00e9 es importante el hBN para la investigaci\u00f3n sobre el grafeno?<\/h3>\n

    Su superficie, at\u00f3micamente lisa y aislante de la electricidad, permite que los dispositivos de grafeno alcancen una movilidad de portadores y un rendimiento general significativamente mejores.<\/p>\n

    \u00bfSe puede utilizar el hBN como material de sustrato?<\/h3>\n

    S\u00ed. El hBN es uno de los materiales de sustrato m\u00e1s utilizados para el grafeno, los materiales bidimensionales y las heteroestructuras de van der Waals.<\/p>\n

    \u00bfQu\u00e9 tama\u00f1os de cristal hay disponibles?<\/h3>\n

    Los cristales est\u00e1ndar suelen tener unas dimensiones laterales superiores a 1 mm. Se pueden suministrar cristales a medida previa solicitud.<\/p>\n

    \u00bfEs este material adecuado para la investigaci\u00f3n acad\u00e9mica e industrial?<\/h3>\n

    S\u00ed. Los monocristales de hBN aptos para dispositivos se utilizan ampliamente en universidades, institutos de investigaci\u00f3n, laboratorios de semiconductores y programas de desarrollo de tecnolog\u00eda avanzada de todo el mundo.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

    El monocristal de hBN de grado para dispositivos es un material de nitruro de boro hexagonal de primera calidad desarrollado para la investigaci\u00f3n avanzada en semiconductores, materiales bidimensionales, electr\u00f3nica de grafeno y dispositivos fot\u00f3nicos de pr\u00f3xima generaci\u00f3n. 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