{"id":8985,"date":"2026-06-16T14:55:10","date_gmt":"2026-06-16T06:55:10","guid":{"rendered":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/?p=8985"},"modified":"2026-06-16T14:55:21","modified_gmt":"2026-06-16T06:55:21","slug":"sic-wafer-manufacturing-challenges","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/fi\/sic-wafer-manufacturing-challenges\/","title":{"rendered":"SiC-kiekkojen valmistuksen haasteet: kiteiden kasvatus, leikkaaminen ja kiillotus"},"content":{"rendered":"
<\/div>\n

Piikarbidi (SiC) on noussut yhdeksi t\u00e4rkeimmist\u00e4 puolijohdemateriaaleista seuraavan sukupolven tehoelektroniikassa. Laajan kaistanleveyden, korkean l\u00e4mm\u00f6njohtavuuden ja erinomaisen l\u00e4pily\u00f6ntis\u00e4hk\u00f6kent\u00e4n ansiosta SiC-komponentit tarjoavat merkitt\u00e4vi\u00e4 etuja perinteisiin piipohjaisiin teknologioihin verrattuna s\u00e4hk\u00f6ajoneuvoissa, uusiutuvan energian j\u00e4rjestelmiss\u00e4, teollisuuden taajuusmuuttajissa ja suurj\u00e4nnitteisess\u00e4 tehonmuunnoksessa.<\/p>\n\n\n\n

N\u00e4ist\u00e4 eduista huolimatta korkealaatuisten SiC-levyjen valmistus on edelleen yksi puolijohdeteollisuuden teknisesti vaativimmista prosesseista. Piilevyihin verrattuna SiC-substraattien kasvattaminen, k\u00e4sittely ja kiillotus ovat niiden ainutlaatuisten materiaaliominaisuuksien vuoksi vaikeampaa.<\/p>\n\n\n\n

Kiteiden kasvattamisesta piikiekkojen leikkaamiseen ja kemiallis-mekaaniseen kiillotukseen (CMP) \u2013 jokainen vaihe tuo mukanaan merkitt\u00e4vi\u00e4 teknisi\u00e4 haasteita, jotka vaikuttavat suoraan piikiekon laatuun, tuotantoasteeseen ja kustannuksiin.<\/p>\n\n\n\n

T\u00e4ss\u00e4 artikkelissa tarkastellaan suurimpia vaikeuksia, joita on kohdattu SiC-kiekko<\/a> valmistuksessa ja selitt\u00e4\u00e4, miksi virheett\u00f6mien SiC-substraattien tuottaminen on edelleen alan keskeinen haaste.<\/p>\n\n\n\n

\"\"<\/figure>\n\n\n\n

Miksi SiC:n valmistus on vaikeampaa kuin piin?<\/h2>\n\n\n\n

T\u00e4rkein syy johtuu piikarbidin fysikaalisista ominaisuuksista.<\/p>\n\n\n\n

Piihin verrattuna SiC:ll\u00e4 on seuraavat ominaisuudet:<\/p>\n\n\n\n

Kiinteist\u00f6<\/th>Pii (Si)<\/th>Piikarbidi (4H-SiC)<\/th><\/tr>
Bandgap<\/td>1,12 eV<\/td>3,26 eV<\/td><\/tr>
Mohsin kovuusaste<\/td>7<\/td>9,2\u20139,5<\/td><\/tr>
L\u00e4mm\u00f6njohtavuus<\/td>~150 W\/m-K<\/td>~490 W\/m-K<\/td><\/tr>
Sublimaatiol\u00e4mp\u00f6tila<\/td>1414 \u00b0C (sulamispiste)<\/td>>2700 \u00b0C<\/td><\/tr>
Kemiallinen stabiilisuus<\/td>Kohtalainen<\/td>Eritt\u00e4in korkea<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

N\u00e4m\u00e4 ominaisuudet tekev\u00e4t SiC:st\u00e4 erinomaisen puolijohdemateriaalin, mutta ne tekev\u00e4t siit\u00e4 my\u00f6s poikkeuksellisen vaikeasti ty\u00f6stett\u00e4v\u00e4n.<\/p>\n\n\n\n

\n\n\n\n

1. Kiteiden kasvun haasteet<\/h1>\n\n\n\n

Fysikaalinen h\u00f6yrykuljetusmenetelm\u00e4 (PVT)<\/h2>\n\n\n\n

Suurin osa kaupallisista SiC-kidepaloista valmistetaan fyysisen h\u00f6yrykuljetusmenetelm\u00e4ll\u00e4 (PVT).<\/p>\n\n\n\n

T\u00e4ss\u00e4 prosessissa:<\/p>\n\n\n\n

    \n
  • Eritt\u00e4in puhdasta SiC-jauhetta kuumennetaan yli 2000 \u00b0C:n l\u00e4mp\u00f6tilaan.<\/li>\n\n\n\n
  • Aine sublimoituu h\u00f6yrymuotoon.<\/li>\n\n\n\n
  • H\u00f6yry tiivistyy kiteen alkuun.<\/li>\n\n\n\n
  • Yksikite kasvaa v\u00e4hitellen useiden p\u00e4ivien kuluessa.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

    Toisin kuin pii, SiC:t\u00e4 ei voida kasvattaa perinteisill\u00e4 sulatuskasvatusmenetelmill\u00e4, koska se hajoaa ennen sulamista.<\/p>\n\n\n\n

    \u00c4\u00e4rimm\u00e4isten l\u00e4mp\u00f6tilojen hallinta<\/h2>\n\n\n\n

    Yksi suurimmista haasteista on tarkkojen l\u00e4mp\u00f6olosuhteiden yll\u00e4pit\u00e4minen.<\/p>\n\n\n\n

    Tyypilliset kasvul\u00e4mp\u00f6tilat vaihtelevat v\u00e4lill\u00e4:<\/p>\n\n\n\n

      \n
    • 2000 \u00b0C \u2013 2400 \u00b0C<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

      Jo pienetkin l\u00e4mp\u00f6tilan vaihtelut voivat johtaa seuraaviin seurauksiin:<\/p>\n\n\n\n

        \n
      • Polytyyppien ep\u00e4vakaus<\/li>\n\n\n\n
      • Kiteen j\u00e4nnitys<\/li>\n\n\n\n
      • Vikojen syntyminen<\/li>\n\n\n\n
      • Heikentynyt kiteiden laatu<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

        On eritt\u00e4in t\u00e4rke\u00e4\u00e4, ett\u00e4 l\u00e4mp\u00f6tilagradientti pysyy vakaana koko kasvukammiossa.<\/p>\n\n\n\n

        Kiteiden virheiden muodostuminen<\/h2>\n\n\n\n

        SiC-kiteet ovat alttiita erilaisille virheille, kuten:<\/p>\n\n\n\n

        Mikroputket<\/h3>\n\n\n\n

        Onteloydinruuvien siirtym\u00e4t, jotka voivat v\u00e4hent\u00e4\u00e4 laitteen tuotantoa merkitt\u00e4v\u00e4sti.<\/p>\n\n\n\n

        Kierteen ruuvin siirtym\u00e4t (TSD)<\/h3>\n\n\n\n

        Viat, jotka lis\u00e4\u00e4v\u00e4t vuotovirtaa ja alentavat l\u00e4pily\u00f6ntij\u00e4nnitett\u00e4.<\/p>\n\n\n\n

        Kierteiset reunadislokaatiot (TED)<\/h3>\n\n\n\n

        Kuljetukseen vaikuttavat yleiset viat.<\/p>\n\n\n\n

        Basal-tason siirtym\u00e4t (BPD)<\/h3>\n\n\n\n

        Bipolaaristen tehoelektroniikkakomponenttien luotettavuuden kannalta merkitt\u00e4v\u00e4 ongelma.<\/p>\n\n\n\n

        Vikatiheyden v\u00e4hent\u00e4minen on edelleen yksi alan t\u00e4rkeimmist\u00e4 tavoitteista.<\/p>\n\n\n\n

        Siirtyminen 6-tuumaisista 8-tuumaisiin kiekkoihin<\/h2>\n\n\n\n

        SiC-tehoelektroniikkakomponenttien kysynn\u00e4n kasvaessa valmistajat ovat siirtym\u00e4ss\u00e4:<\/p>\n\n\n\n

          \n
        • 150 mm (6 tuumaa)<\/li>\n\n\n\n
        • 200 mm:iin (8 tuumaa)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

          Suuremmat kiteiden halkaisijat tuovat kuitenkin mukanaan uusia haasteita:<\/p>\n\n\n\n

            \n
          • L\u00e4mp\u00f6rasituksen kertyminen<\/li>\n\n\n\n
          • Kiteiden murtuminen<\/li>\n\n\n\n
          • Vian eteneminen<\/li>\n\n\n\n
          • Kasvun tasaisuuden hallinta<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

            Kiteiden laadun yll\u00e4pit\u00e4minen suuremmilla piikiekkoilla edellytt\u00e4\u00e4 edistyksellist\u00e4 uunisuunnittelua ja prosessin optimointia.<\/p>\n\n\n\n

            2. SiC-levyjen leikkaamiseen liittyv\u00e4t haasteet<\/h1>\n\n\n\n

            Poikkeuksellisen kova materiaali<\/h2>\n\n\n\n

            SiC on yksi kovimmista saatavilla olevista puolijohdemateriaaleista.<\/p>\n\n\n\n

            Sen kovuus on l\u00e4hes sama kuin safiirin, ja yleisesti k\u00e4ytetyist\u00e4 puolijohdealustoista se on kovuudeltaan toiseksi kovin heti timantin j\u00e4lkeen.<\/p>\n\n\n\n

            T\u00e4st\u00e4 seuraa, ett\u00e4:<\/p>\n\n\n\n

              \n
            • Perinteinen langasahaus on hitaampaa.<\/li>\n\n\n\n
            • Ty\u00f6kalujen kuluminen on voimakasta.<\/li>\n\n\n\n
            • Kustannuss\u00e4\u00e4st\u00f6t kasvavat merkitt\u00e4v\u00e4sti.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

              Sahanuron aiheuttama menetys ja materiaalihukka<\/h2>\n\n\n\n

              Leikkaamisen aikana osa kiteest\u00e4 menetet\u00e4\u00e4n sahausj\u00e4tteen\u00e4.<\/p>\n\n\n\n

              Koska SiC-kappaleiden valmistus on kallista, materiaalih\u00e4vikin v\u00e4hent\u00e4minen on taloudellisesti t\u00e4rke\u00e4\u00e4.<\/p>\n\n\n\n

              Valmistajat pyrkiv\u00e4t jatkuvasti:<\/p>\n\n\n\n

                \n
              • Sahauraan leveyden minimointi<\/li>\n\n\n\n
              • Viipaloinnin tehokkuuden parantaminen<\/li>\n\n\n\n
              • Lis\u00e4\u00e4 kiekkojen tuotantoa bulaa kohti<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                Pintavauriot<\/h2>\n\n\n\n

                Mekaanisen viipaloinnin esittely:<\/p>\n\n\n\n

                  \n
                • Mikrohalkeamat<\/li>\n\n\n\n
                • J\u00e4\u00e4nn\u00f6sj\u00e4nnitys<\/li>\n\n\n\n
                • Pinnan karheus<\/li>\n\n\n\n
                • Pinnan alla olevat vauriot<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                  N\u00e4m\u00e4 virheet on poistettava my\u00f6hemmiss\u00e4 hionta- ja kiillotusvaiheissa.<\/p>\n\n\n\n

                  Jos vaurioituneita kerroksia ei poisteta, se voi vaikuttaa laitteen luotettavuuteen kielteisesti.<\/p>\n\n\n\n

                  Uudet laserleikkaustekniikat<\/h2>\n\n\n\n

                  Materiaalink\u00e4yt\u00f6n tehostamiseksi laserpohjaiset leikkaustekniikat ovat her\u00e4tt\u00e4neet kiinnostusta.<\/p>\n\n\n\n

                  Edut ovat muun muassa:<\/p>\n\n\n\n

                    \n
                  • Pienempi sahaush\u00e4vi\u00f6<\/li>\n\n\n\n
                  • Suurempi l\u00e4pimenokapasiteetti<\/li>\n\n\n\n
                  • Materiaalij\u00e4tteen v\u00e4hent\u00e4minen<\/li>\n\n\n\n
                  • Mahdollinen kustannusten aleneminen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                    Monet alan asiantuntijat pit\u00e4v\u00e4t laserleikkausta avainteknologiana tulevaisuuden 8-tuumaisten SiC-piikiekkojen tuotannossa.<\/p>\n\n\n\n

                    3. Jyrsint\u00e4- ja ohennushaasteet<\/h1>\n\n\n\n

                    Viipaloinnin j\u00e4lkeen kiekot on hiottava tavoitellun paksuuden saavuttamiseksi.<\/p>\n\n\n\n

                    Tyypilliset SiC-levyjen paksuudet:<\/p>\n\n\n\n

                    Halkaisija<\/td>Tyypillinen paksuus<\/td><\/tr>
                    4 tuumaa<\/td>~350 \u03bcm<\/td><\/tr>
                    6 tuumaa<\/td>~500 \u03bcm<\/td><\/tr>
                    8 tuumaa<\/td>~500\u2013700 \u03bcm<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                    Hiontaan liittyvi\u00e4 haasteita ovat muun muassa:<\/p>\n\n\n\n

                      \n
                    • TTV-ohjauksen yll\u00e4pito<\/li>\n\n\n\n
                    • Piikiekkojen rikkoutumisen est\u00e4minen<\/li>\n\n\n\n
                    • J\u00e4\u00e4nn\u00f6sj\u00e4nnityksen minimointi<\/li>\n\n\n\n
                    • Tasaisen paksuuden saavuttaminen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                      Kun piikiekot ohentuvat, niiden mekaaninen k\u00e4sittely vaikeutuu entisest\u00e4\u00e4n.<\/p>\n\n\n\n

                      4. Kiillotuksen haasteet<\/h1>\n\n\n\n

                      Miksi kiillotus on vaikeaa<\/h2>\n\n\n\n

                      SiC:n kiillotus on huomattavasti vaikeampaa kuin piin kiillotus.<\/p>\n\n\n\n

                      Syit\u00e4 ovat muun muassa:<\/p>\n\n\n\n

                        \n
                      • Suuri kovuus<\/li>\n\n\n\n
                      • Korkea kemiallinen inerttiys<\/li>\n\n\n\n
                      • Vahva kovalenttinen sidos<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                        Perinteiset kiillotusmenetelm\u00e4t ovat usein tehottomia.<\/p>\n\n\n\n

                        Pinnan laatua koskevat vaatimukset<\/h2>\n\n\n\n

                        Nykyaikainen epitaksinen kasvatus edellytt\u00e4\u00e4 atomitasolla sileit\u00e4 pintoja.<\/p>\n\n\n\n

                        Tyypillisi\u00e4 teknisi\u00e4 tietoja ovat muun muassa:<\/p>\n\n\n\n

                          \n
                        • Pinnan karheus (Ra) < 0,1 nm<\/li>\n\n\n\n
                        • Alhainen virhetiheys<\/li>\n\n\n\n
                        • Pinnanalaiset vauriot ovat v\u00e4h\u00e4isi\u00e4<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                          Jopa nanomittakaavan ep\u00e4tasaisuudet voivat vaikuttaa epitaksikerroksen laatuun.<\/p>\n\n\n\n

                          Kemiallis-mekaaninen kiillotus (CMP)<\/h2>\n\n\n\n

                          CMP on SiC-levyjen yleisimmin k\u00e4ytetty viimeistelymenetelm\u00e4.<\/p>\n\n\n\n

                          Prosessiin sis\u00e4ltyy seuraavat vaiheet:<\/p>\n\n\n\n

                            \n
                          • Kemiallinen pinnan muokkaus<\/li>\n\n\n\n
                          • Mekaaninen kuluminen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                            Haasteita ovat muun muassa:<\/p>\n\n\n\n

                              \n
                            • Pieni materiaalin poistumisnopeus<\/li>\n\n\n\n
                            • Korkeat kiillotuskustannukset<\/li>\n\n\n\n
                            • Lietteen optimointi<\/li>\n\n\n\n
                            • Pintavikojen hallinta<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                              CMP:n tehokkuuden parantaminen on edelleen t\u00e4rke\u00e4 tutkimusalue.<\/p>\n\n\n\n

                              Uudet kiillotustekniikat<\/h2>\n\n\n\n

                              Useita edistyneit\u00e4 kiillotustekniikoita on parhaillaan kehitteill\u00e4:<\/p>\n\n\n\n

                              Plasmalla avustettu kiillotus<\/h3>\n\n\n\n

                              K\u00e4ytt\u00e4\u00e4 reaktiivista plasmaa pintakerroksen pehment\u00e4miseen.<\/p>\n\n\n\n

                              Katalyyttiohjattu sy\u00f6vytys (CARE)<\/h3>\n\n\n\n

                              Tuloksena on eritt\u00e4in sile\u00e4t pinnat, joihin aiheutuu mahdollisimman v\u00e4h\u00e4n vaurioita.<\/p>\n\n\n\n

                              S\u00e4hk\u00f6kemiallinen mekaaninen kiillotus (ECMP)<\/h3>\n\n\n\n

                              Yhdist\u00e4\u00e4 s\u00e4hk\u00f6kemialliset reaktiot mekaaniseen kiillotukseen.<\/p>\n\n\n\n

                              N\u00e4m\u00e4 teknologiat voivat parantaa merkitt\u00e4v\u00e4sti tulevaisuuden piikiekkojen laatua ja tuottavuutta.<\/p>\n\n\n\n

                              Valmistukseen liittyvien haasteiden kustannusvaikutukset<\/h1>\n\n\n\n

                              SiC-k\u00e4sittelyn monimutkaisuus vaikuttaa suoraan piikiekkojen kustannuksiin.<\/p>\n\n\n\n

                              T\u00e4rkeimpi\u00e4 kustannustekij\u00f6it\u00e4 ovat:<\/p>\n\n\n\n

                                \n
                              • Pitk\u00e4t kiteiden kasvusyklit<\/li>\n\n\n\n
                              • Suuri energiankulutus<\/li>\n\n\n\n
                              • Alhainen kasvutuotto<\/li>\n\n\n\n
                              • Kalliit kulutustarvikkeet<\/li>\n\n\n\n
                              • Tarkkuuskiillotuksen vaatimukset<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                Valmistustekniikoiden kehittyess\u00e4 ja tuotantom\u00e4\u00e4rien kasvaessa kustannusten odotetaan laskevan, mutta SiC-levyt pysyv\u00e4t l\u00e4hitulevaisuudessa huomattavasti kalliimpina kuin piilevyt.<\/p>\n\n\n\n

                                Tulevaisuuden teollisuuden trendit<\/h1>\n\n\n\n

                                SiC-piikiekkojen valmistuksen tulevaisuutta muovaavat useat trendit:<\/p>\n\n\n\n

                                Suuremmat kiekkojen halkaisijat<\/h3>\n\n\n\n

                                Siirtyminen kohti:<\/p>\n\n\n\n

                                  \n
                                • 200 mm:n (8 tuuman) tuotanto<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                  Pienempi vikatiheys<\/h3>\n\n\n\n

                                  Kiteiden kasvatustekniikoiden kehitt\u00e4misen tavoitteena on v\u00e4hent\u00e4\u00e4:<\/p>\n\n\n\n

                                    \n
                                  • Mikroputket<\/li>\n\n\n\n
                                  • BPD:t<\/li>\n\n\n\n
                                  • TSD:t<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                    Kehittyneet leikkaustekniikat<\/h3>\n\n\n\n

                                    Laserleikkauksen ja leikkausuraa j\u00e4tt\u00e4m\u00e4tt\u00f6mien menetelmien odotetaan parantavan materiaalin hy\u00f6dynt\u00e4mist\u00e4.<\/p>\n\n\n\n

                                    Tehokas kiillotus<\/h3>\n\n\n\n

                                    Uusilla kiillotusmenetelmill\u00e4 pyrit\u00e4\u00e4n saavuttamaan:<\/p>\n\n\n\n

                                      \n
                                    • Suurempi l\u00e4pimenokapasiteetti<\/li>\n\n\n\n
                                    • Parempi pinnanlaatu<\/li>\n\n\n\n
                                    • Alhaisemmat tuotantokustannukset<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                      P\u00e4\u00e4telm\u00e4<\/h2>\n\n\n\n

                                      Laadukkaiden SiC-levyjen valmistus on yksi nykyaikaisen puolijohdetuotannon haastavimmista prosesseista. Kiteiden kasvattamisesta yli 2000 \u00b0C:n l\u00e4mp\u00f6tiloissa tarkkaan leikkaamiseen ja atomitasoisesti sile\u00e4\u00e4n kiillotukseen \u2013 jokainen vaihe vaatii edistyksellisi\u00e4 laitteita, tiukkaa prosessivalvontaa ja syv\u00e4llist\u00e4 materiaaliosaamista.<\/p>\n\n\n\n

                                      Vaikka viime vuosina on saavutettu merkitt\u00e4v\u00e4\u00e4 edistyst\u00e4, kristallivikoihin, piikiekkojen koon pienent\u00e4miseen, materiaalin kovuuteen ja kiillotustehokkuuteen liittyv\u00e4t haasteet vaikuttavat edelleen tuotantokustannuksiin ja laitteiden suorituskykyyn.<\/p>\n\n\n\n

                                      S\u00e4hk\u00f6ajoneuvojen, uusiutuvien energial\u00e4hteiden ja suurtehoelektroniikan kysynn\u00e4n kasvaessa jatkuvat innovaatiot kiteiden kasvattamis-, leikkaus- ja kiillotustekniikoissa tulevat olemaan ratkaisevassa asemassa SiC-puolijohdeteollisuuden tulevassa kasvussa.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                                      Silicon Carbide (SiC) has emerged as one of the most important semiconductor materials for next-generation power electronics. Thanks to its wide bandgap, high thermal conductivity, and superior breakdown electric field, SiC devices offer significant advantages over traditional silicon-based technologies in electric vehicles, renewable energy systems, industrial drives, and high-voltage power conversion. Despite these advantages, manufacturing […]<\/p>\n","protected":false},"author":2,"featured_media":8986,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"_uag_custom_page_level_css":"","footnotes":""},"categories":[12,27],"tags":[1166,1751,2577,1824,2575,1059,2007,1225,1117,2573,1320,1890,2576,2578,2574,1168,1170,1266,1113],"class_list":["post-8985","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-news","category-companynews","tag-4h-sic","tag-8-inch-sic-wafer","tag-chemical-mechanical-polishing-2","tag-cmp","tag-laser-slicing","tag-power-electronics","tag-pvt-growth","tag-semiconductor-manufacturing","tag-semiconductor-materials","tag-sic-boule","tag-sic-crystal-growth","tag-sic-defects","tag-sic-polishing","tag-sic-processing","tag-sic-slicing","tag-sic-substrate","tag-sic-wafer","tag-silicon-carbide-wafer","tag-wide-bandgap-semiconductor"],"acf":[],"uagb_featured_image_src":{"full":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing.webp",740,336,false],"thumbnail":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing-150x150.webp",150,150,true],"medium":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing-300x136.webp",300,136,true],"medium_large":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing.webp",740,336,false],"large":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing.webp",740,336,false],"1536x1536":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing.webp",740,336,false],"2048x2048":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing.webp",740,336,false],"trp-custom-language-flag":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing-18x8.webp",18,8,true],"woocommerce_thumbnail":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing-300x300.webp",300,300,true],"woocommerce_single":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing-600x272.webp",600,272,true],"woocommerce_gallery_thumbnail":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing-100x100.webp",100,100,true]},"uagb_author_info":{"display_name":"lydia","author_link":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/fi\/author\/lydia\/"},"uagb_comment_info":0,"uagb_excerpt":"Silicon Carbide (SiC) has emerged as one of the most important semiconductor materials for next-generation power electronics. Thanks to its wide bandgap, high thermal conductivity, and superior breakdown electric field, SiC devices offer significant advantages over traditional silicon-based technologies in electric vehicles, renewable energy systems, industrial drives, and high-voltage power conversion. Despite these advantages, manufacturing…","_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/8985","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/users\/2"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=8985"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/8985\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":8987,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/8985\/revisions\/8987"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media\/8986"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=8985"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=8985"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=8985"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}