{"id":8224,"date":"2025-12-17T13:59:29","date_gmt":"2025-12-17T05:59:29","guid":{"rendered":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/?post_type=product&p=8224"},"modified":"2026-02-24T08:56:02","modified_gmt":"2026-02-24T00:56:02","slug":"12-inch-300mm-4h-6h-sic-single-crystal-silicon-carbide-wafer-for-power-electronics-led-applications","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/fr\/product\/12-inch-300mm-4h-6h-sic-single-crystal-silicon-carbide-wafer-for-power-electronics-led-applications\/","title":{"rendered":"Plaque de carbure de silicium monocristallin de 12 pouces 300 mm 4H\/6H pour l'\u00e9lectronique de puissance et les applications LED"},"content":{"rendered":"

Les plaquettes monocristallines SiC de 300 mm (12 pouces) de ZMSH sont des semi-conducteurs de grande puret\u00e9 et \u00e0 large bande interdite produits par la m\u00e9thode de transport physique de vapeur (PVT). Dot\u00e9es d'excellentes propri\u00e9t\u00e9s \u00e9lectriques, thermiques et m\u00e9caniques, les plaques de SiC sont id\u00e9ales pour les applications \u00e0 haute puissance, \u00e0 haute tension et \u00e0 haute fr\u00e9quence, ainsi que pour les substrats de LED et de diodes laser \u00e0 base de GaN.<\/p>\n

\"\" \"\" \"\"<\/p>\n

Nos gaufrettes de 12 pouces pr\u00e9sentent les caract\u00e9ristiques suivantes une tr\u00e8s faible densit\u00e9 de dislocations planes basales (BPD)<\/strong>, La technologie de l'ADN, la conductivit\u00e9 thermique \u00e9lev\u00e9e et l'orientation cristallographique pr\u00e9cise garantissent des performances, une fiabilit\u00e9 et une reproductibilit\u00e9 sup\u00e9rieures de l'appareil.<\/p>\n

Caract\u00e9ristiques principales<\/strong><\/h3>\n
\n
\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Propri\u00e9t\u00e9<\/th>\n4H-SiC<\/th>\n6H-SiC<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n
Structure cristalline<\/td>\nHexagonal<\/td>\nHexagonal<\/td>\n<\/tr>\n
Constante de r\u00e9seau<\/td>\na=3,08 \u00c5, c=10,05 \u00c5<\/td>\na=3,08 \u00c5, c=15,12 \u00c5<\/td>\n<\/tr>\n
\u00c9cart de bande<\/td>\n3,23 eV<\/td>\n3,02 eV<\/td>\n<\/tr>\n
Duret\u00e9 (Mohs)<\/td>\n9.2<\/td>\n9.2<\/td>\n<\/tr>\n
Conductivit\u00e9 thermique (type N, 0,02 \u03a9-cm)<\/td>\na~4,2 W\/cm-K, c~3,7 W\/cm-K<\/td>\na~4,6 W\/cm-K, c~3,2 W\/cm-K<\/td>\n<\/tr>\n
Coefficient de dilatation thermique<\/td>\n4-5\u00d710-\u2076\/K<\/td>\n4-5\u00d710-\u2076\/K<\/td>\n<\/tr>\n
Constante di\u00e9lectrique<\/td>\n~9.66<\/td>\n~9.66<\/td>\n<\/tr>\n
R\u00e9sistivit\u00e9<\/td>\n0,015-0,028 \u03a9-cm (type N)<\/td>\n>1\u00d710\u2075 \u03a9-cm (semi-isolant)<\/td>\n<\/tr>\n
Orientation<\/td>\n, 4\u00b0 hors axe<\/td>\n, 4\u00b0 hors axe<\/td>\n<\/tr>\n
Polissage<\/td>\nSimple face ou double face<\/td>\nSimple face ou double face<\/td>\n<\/tr>\n
Rugosit\u00e9 de surface<\/td>\nRa \u2264 5\u00c5<\/td>\nRa \u2264 5\u00c5<\/td>\n<\/tr>\n
TTV<\/td>\n\u226415 \u00b5m<\/td>\n\u226415 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n
Arc\/Warp<\/td>\n\u226480 \u00b5m<\/td>\n\u226480 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n
\u00c9paisseur<\/td>\n0,35-1,0 mm (personnalisable)<\/td>\n0,35-1,0 mm (personnalisable)<\/td>\n<\/tr>\n
Zone monocristalline<\/td>\n\u2265290 mm<\/td>\n\u2265290 mm<\/td>\n<\/tr>\n
EPD (densit\u00e9 de gravure)<\/td>\n\u22641\/cm\u00b2<\/td>\n\u22641\/cm\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n
L'\u00e9caillage<\/td>\n\u22642 mm<\/td>\n\u22642 mm<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n

Applications<\/strong><\/h3>\n

1. \u00c9lectronique de puissance :<\/strong><\/p>\n

    \n
  • \n

    MOSFETs SiC, diodes PiN, diodes Schottky (SBD), diodes JBS, IGBTs, et BJTs SiC.<\/p>\n<\/li>\n

  • \n

    Modules de puissance \u00e0 haut rendement avec taille plus petite, poids plus l\u00e9ger et perte d'\u00e9nergie r\u00e9duite<\/strong> par rapport au silicium.<\/p>\n<\/li>\n

  • \n

    Prend en charge les appareils fonctionnant \u00e0 des tensions \u00e9lev\u00e9es (3kV-12kV) et \u00e0 des temp\u00e9ratures \u00e9lev\u00e9es.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n

    2. Dispositifs opto\u00e9lectroniques :<\/strong><\/p>\n

      \n
    • \n

      Substrat pour DEL et diodes laser \u00e0 base de GaN<\/strong>.<\/p>\n<\/li>\n

    • \n

      L'excellente ad\u00e9quation du r\u00e9seau et la compatibilit\u00e9 thermique avec les couches de GaN s'am\u00e9liorent. efficacit\u00e9 de l'extraction de la lumi\u00e8re<\/strong> et dissipation de la chaleur<\/strong>.<\/p>\n<\/li>\n

    • \n

      Permet des structures de dispositifs verticaux sans couche de diffusion de courant.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n

      3. Recherche et dispositifs avanc\u00e9s :<\/strong><\/p>\n

        \n
      • \n

        Convient \u00e0 la recherche exp\u00e9rimentale dans les domaines suivants R\u00e9duction du BPD, dispositifs \u00e0 haute tension et \u00e9lectronique SiC de la prochaine g\u00e9n\u00e9ration<\/strong>.<\/p>\n<\/li>\n

      • \n

        Utilis\u00e9 dans les appareils \u00e9lectroniques \u00e0 haute fr\u00e9quence et \u00e0 haute temp\u00e9rature.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n

        Avantages<\/strong><\/h3>\n
          \n
        1. \n

          Faible densit\u00e9 de BPD :<\/strong><\/p>\n

            \n
          • \n

            L'optimisation de la croissance PVT, de la liaison des semences et du choix du creuset en graphite permet de r\u00e9duire les dislocations du plan de base en de\u00e7\u00e0 de 1,5 million d'euros. 1000 cm-\u00b2<\/strong>, am\u00e9liorer la fiabilit\u00e9 des appareils \u00e0 haute puissance et \u00e0 haute tension.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n

          • \n

            Excellentes performances thermiques et \u00e9lectriques :<\/strong><\/p>\n

              \n
            • \n

              La conductivit\u00e9 thermique \u00e9lev\u00e9e assure une dissipation efficace de la chaleur.<\/p>\n<\/li>\n

            • \n

              La large bande interdite et la mobilit\u00e9 \u00e9lev\u00e9e des \u00e9lectrons minimisent la perte d'\u00e9nergie \u00e0 haute tension et \u00e0 haute temp\u00e9rature.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n

            • \n

              Grand diam\u00e8tre de 12 pouces :<\/strong><\/p>\n

                \n
              • \n

                Permet la production en masse de dispositifs d'alimentation et de substrats pour LED.<\/p>\n<\/li>\n

              • \n

                Epaisseur, r\u00e9sistivit\u00e9 et orientation personnalisables pour des applications sp\u00e9cifiques.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n

              • \n

                Finition de surface de haute qualit\u00e9 :<\/strong><\/p>\n

                  \n
                • \n

                  Les plaquettes polies sur une ou deux faces avec une tr\u00e8s faible rugosit\u00e9 (Ra \u2264 5\u00c5) garantissent une croissance \u00e9pitaxiale uniforme.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n

                • \n

                  Emballage pour salle blanche :<\/strong><\/p>\n

                    \n
                  • \n

                    Chaque plaquette est emball\u00e9e individuellement dans un Environnement propre \u00e0 100<\/strong> pour \u00e9viter toute contamination.<\/p>\n<\/li>\n<\/ul>\n<\/li>\n<\/ol>\n

                    FAQ<\/strong><\/h3>\n

                    Q1 : Quelle est la densit\u00e9 BPD typique des plaquettes SiC de 12 pouces de ZMSH ?<\/strong>
                    A1 :<\/strong> La densit\u00e9 de dislocation du plan de base est contr\u00f4l\u00e9e en dessous de 1000 cm-\u00b2<\/strong> gr\u00e2ce \u00e0 des processus optimis\u00e9s de croissance, de refroidissement et de liaison des semences, ce qui garantit une fiabilit\u00e9 sup\u00e9rieure des dispositifs.<\/p>\n

                    Q2 : L'\u00e9paisseur, l'orientation ou la r\u00e9sistivit\u00e9 de la plaquette peuvent-elles \u00eatre personnalis\u00e9es ?<\/strong>
                    A2 :<\/strong> Oui. L'\u00e9paisseur (0,35-1,0 mm), l'orientation hors axe ( 4\u00b0 ou personnalis\u00e9e) et la r\u00e9sistivit\u00e9 (type N 0,015-0,028 \u03a9-cm ou semi-isolant >1\u00d710\u2075 \u03a9-cm) peuvent toutes \u00eatre personnalis\u00e9es.<\/p>\n

                    Q3 : Quels sont les avantages du substrat SiC pour les applications LED bas\u00e9es sur le GaN ?<\/strong>
                    A3 :<\/strong> Le SiC assure la compatibilit\u00e9 thermique et de r\u00e9seau avec le GaN, permet une structure verticale des dispositifs, am\u00e9liore l'efficacit\u00e9 de l'extraction de la lumi\u00e8re et la gestion thermique, ce qui permet d'allonger la dur\u00e9e de vie des dispositifs.<\/p>\n

                    L'engagement de la ZMSH<\/strong><\/h3>\n

                    ZMSH s'engage \u00e0 fournir Plaques de SiC de 12 pouces \u00e0 haute performance<\/strong> avec une densit\u00e9 de dislocation ultra-faible et une qualit\u00e9 reproductible. Nos plaquettes sont id\u00e9ales pour l'\u00e9lectronique de puissance, l'opto\u00e9lectronique et la recherche sur les semi-conducteurs de nouvelle g\u00e9n\u00e9ration<\/strong>, Les produits de l'UE sont disponibles sur demande, avec des sp\u00e9cifications personnalisables pour r\u00e9pondre aux besoins de l'industrie et de la recherche.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                    Les plaquettes monocristallines SiC de 300 mm (12 pouces) de ZMSH sont des semi-conducteurs de grande puret\u00e9 et \u00e0 large bande interdite produits par la m\u00e9thode de transport physique de vapeur (PVT). 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