Hírek
SiC szubsztrát megbízhatóságának értékelése: Melyek a valóban fontos mérőszámok?
A szilícium-karbid (SiC) szubsztrátumok a következő generációs teljesítményelektronika alapanyagává váltak kiváló hővezető képességük, nagy átütési mezőjük és kiváló tulajdonságaik miatt.