A szilícium-karbid (SiC) szubsztrátumok a következő generációs teljesítményelektronika alapanyagává váltak kiváló hővezető képességük, nagy átütési mezőjük és kiváló tulajdonságaik miatt.
A szilíciumkarbid (SiC) a félvezetők világában szupersztárrá vált. Kivételes hővezető képességéről, magas átütési feszültségéről és kémiai stabilitásáról híres,
A szilíciumkarbid (SiC) gyorsan vált a csak a félvezető-szakértők által ismert hiánypótló anyagból az elektromos járművek és a megújuló energiarendszerek főszereplőjévé,
A szilícium-karbid (SiC) epitaxia a mai nagyfeszültségű, nagyfrekvenciás és nagy hatásfokú félvezető eszközök egyik legkritikusabb folyamata. Bár ez a vékony kristályos réteg
