A szilícium-karbid epitaxia megértése: A rejtett réteg, amely lehetővé teszi a nagy teljesítményű elektronikát
A szilícium-karbid (SiC) epitaxia a mai nagyfeszültségű, nagyfrekvenciás és nagy hatásfokú félvezető eszközök egyik legkritikusabb folyamata. Bár ez a vékony kristályos réteg