Hírek
A SiC epitaxiális növesztés gyakori kihívásai és azok leküzdése
A szilícium-karbid (SiC), különösen a 4H-SiC polytípus, kiváló elektromos, termikus és mechanikai tulajdonságai miatt alapvető szerepet játszik a nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás félvezető eszközökben.