Hírek
Harmadik generációs félvezetők leszámolása: GaN vs SiC teljesítményelemzés
A harmadik generációs félvezető anyagok átalakítják az elektronikus eszközök tervezését. A gallium-nitrid (GaN) és a szilícium-karbid (SiC) vált a nagyfrekvenciás és a nagyfrekvenciás elektronikai rendszerek kulcsfontosságú anyagává.