A félvezető anyagok világvezető beszállítója

Címke: SiC Substrates

Hírek

300 mm-es SiC ostyák Kihívások: A nagyobb átmérőjű kristálynövesztés technikai akadályai (EFG vs. PVT)

A szilícium-karbid (SiC) a nagy teljesítményű elektronika, az elektromos járművek és a következő generációs félvezető eszközök sarokanyagává vált kivételes hővezető képessége, magas hővezető képessége, nagy teljesítménye, valamint

Hírek

Vásárlási útmutató a SiC szubsztrátumokhoz: Vásárlás előtt ellenőrizendő 5 kritikus paraméter

A szilícium-karbid (SiC) szubsztrátumok a teljesítményelektronika, az RF-eszközök és a magas hőmérsékletű félvezető alkalmazások alapanyagává váltak. Mivel a nagy hatékonyságú elektromos járművek, a megújuló

Hírek

Advantages of SiC Substrates in High-Temperature, High-Voltage, and Harsh Environments

As power electronic systems continue to evolve toward higher efficiency, higher power density, and greater reliability, traditional silicon (Si) materials are increasingly constrained by their