{"id":8985,"date":"2026-06-16T14:55:10","date_gmt":"2026-06-16T06:55:10","guid":{"rendered":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/?p=8985"},"modified":"2026-06-16T14:55:21","modified_gmt":"2026-06-16T06:55:21","slug":"sic-wafer-manufacturing-challenges","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/it\/sic-wafer-manufacturing-challenges\/","title":{"rendered":"Sfide nella produzione di wafer in SiC: crescita cristallina, taglio e lucidatura"},"content":{"rendered":"
<\/div>\n

Il carburo di silicio (SiC) si \u00e8 affermato come uno dei materiali semiconduttori pi\u00f9 importanti per l\u2019elettronica di potenza di nuova generazione. Grazie all'ampio bandgap, all'elevata conduttivit\u00e0 termica e al campo elettrico di rottura superiore, i dispositivi in SiC offrono vantaggi significativi rispetto alle tradizionali tecnologie basate sul silicio nei veicoli elettrici, nei sistemi di energia rinnovabile, negli azionamenti industriali e nella conversione di potenza ad alta tensione.<\/p>\n\n\n\n

Nonostante questi vantaggi, la produzione di wafer in SiC di alta qualit\u00e0 rimane uno dei processi tecnicamente pi\u00f9 impegnativi nel settore dei semiconduttori. Rispetto ai wafer in silicio, i substrati in SiC sono pi\u00f9 difficili da sintetizzare, lavorare e lucidare a causa delle loro propriet\u00e0 materiali uniche.<\/p>\n\n\n\n

Dalla crescita dei cristalli al taglio dei wafer fino alla lucidatura chimico-meccanica (CMP), ogni fase presenta notevoli sfide ingegneristiche che incidono direttamente sulla qualit\u00e0, sulla resa e sui costi dei wafer.<\/p>\n\n\n\n

Questo articolo analizza le principali difficolt\u00e0 riscontrate in Wafer SiC<\/a> di produzione e spiega perch\u00e9 la realizzazione di substrati in SiC privi di difetti rimane una sfida fondamentale per il settore.<\/p>\n\n\n\n

\"\"<\/figure>\n\n\n\n

Perch\u00e9 il SiC \u00e8 pi\u00f9 difficile da produrre rispetto al silicio?<\/h2>\n\n\n\n

La ragione principale risiede nelle propriet\u00e0 fisiche del carburo di silicio.<\/p>\n\n\n\n

Rispetto al silicio, il SiC presenta:<\/p>\n\n\n\n

Propriet\u00e0<\/th>Silicio (Si)<\/th>Carburo di silicio (4H-SiC)<\/th><\/tr>
Bandgap<\/td>1,12 eV<\/td>3,26 eV<\/td><\/tr>
Durezza Mohs<\/td>7<\/td>9,2\u20139,5<\/td><\/tr>
Conduttivit\u00e0 termica<\/td>~150 W\/m-K<\/td>~490 W\/m-K<\/td><\/tr>
Temperatura di sublimazione<\/td>1414 \u00b0C (punto di fusione)<\/td>>2700 \u00b0C<\/td><\/tr>
Stabilit\u00e0 chimica<\/td>Moderato<\/td>Estremamente alto<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

Queste propriet\u00e0 rendono il SiC un materiale semiconduttore eccezionale, ma lo rendono anche estremamente difficile da lavorare.<\/p>\n\n\n\n

\n\n\n\n

1. Le sfide della crescita dei cristalli<\/h1>\n\n\n\n

Crescita mediante trasporto fisico di vapore (PVT)<\/h2>\n\n\n\n

La maggior parte dei lingotti di SiC disponibili in commercio viene prodotta utilizzando il metodo del trasporto fisico del vapore (PVT).<\/p>\n\n\n\n

In questo processo:<\/p>\n\n\n\n

    \n
  • La polvere di SiC ad alta purezza viene riscaldata a una temperatura superiore a 2000 \u00b0C.<\/li>\n\n\n\n
  • Il materiale si sublima trasformandosi in specie gassose.<\/li>\n\n\n\n
  • Il vapore si condensa su un cristallo seme.<\/li>\n\n\n\n
  • Un singolo cristallo cresce gradualmente nel corso di diversi giorni.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

    A differenza del silicio, il SiC non pu\u00f2 essere ottenuto mediante le tecniche convenzionali di crescita per fusione, poich\u00e9 si decompone prima di fondersi.<\/p>\n\n\n\n

    Controllo delle temperature estreme<\/h2>\n\n\n\n

    Una delle sfide pi\u00f9 grandi consiste nel mantenere condizioni termiche precise.<\/p>\n\n\n\n

    Le temperature tipiche di crescita variano da:<\/p>\n\n\n\n

      \n
    • da 2000 \u00b0C a 2400 \u00b0C<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

      Anche lievi variazioni di temperatura possono causare:<\/p>\n\n\n\n

        \n
      • Instabilit\u00e0 dei politipi<\/li>\n\n\n\n
      • Tensione cristallina<\/li>\n\n\n\n
      • Generazione di difetti<\/li>\n\n\n\n
      • Qualit\u00e0 dei cristalli ridotta<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

        \u00c8 fondamentale mantenere un gradiente termico stabile in tutta la camera di crescita.<\/p>\n\n\n\n

        Formazione di difetti cristallini<\/h2>\n\n\n\n

        I cristalli di SiC sono soggetti a vari difetti, tra cui:<\/p>\n\n\n\n

        Microtubi<\/h3>\n\n\n\n

        Dislocazioni a vite con anima cava che possono ridurre in modo significativo la resa del dispositivo.<\/p>\n\n\n\n

        Dislocazioni a vite a filettatura (TSD)<\/h3>\n\n\n\n

        Difetti che aumentano la corrente di dispersione e riducono la tensione di rottura.<\/p>\n\n\n\n

        Dislocazioni del bordo di filettatura (TED)<\/h3>\n\n\n\n

        Difetti comuni che compromettono il trasporto su vettore.<\/p>\n\n\n\n

        Dislocazioni del piano basale (BPD)<\/h3>\n\n\n\n

        Una delle principali preoccupazioni in materia di affidabilit\u00e0 dei dispositivi di potenza bipolari.<\/p>\n\n\n\n

        La riduzione della densit\u00e0 dei difetti rimane uno degli obiettivi pi\u00f9 importanti del settore.<\/p>\n\n\n\n

        Passaggio da wafer da 6 pollici a wafer da 8 pollici<\/h2>\n\n\n\n

        Con l'aumentare della domanda di dispositivi di potenza in SiC, i produttori stanno passando da:<\/p>\n\n\n\n

          \n
        • 150 mm (6 pollici)<\/li>\n\n\n\n
        • fino a 200 mm (8 pollici)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

          Tuttavia, i diametri dei cristalli pi\u00f9 grandi comportano ulteriori difficolt\u00e0:<\/p>\n\n\n\n

            \n
          • Accumulo di sollecitazioni termiche<\/li>\n\n\n\n
          • Frattura dei cristalli<\/li>\n\n\n\n
          • Propagazione dei difetti<\/li>\n\n\n\n
          • Controllo dell'uniformit\u00e0 della crescita<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

            Per garantire una qualit\u00e0 impeccabile su wafer di dimensioni maggiori sono necessari una progettazione avanzata dei forni e un\u2019ottimizzazione dei processi.<\/p>\n\n\n\n

            2. Le sfide legate al taglio dei wafer in SiC<\/h1>\n\n\n\n

            Durezza eccezionale del materiale<\/h2>\n\n\n\n

            Il SiC \u00e8 uno dei materiali semiconduttori pi\u00f9 duri esistenti.<\/p>\n\n\n\n

            La sua durezza \u00e8 simile a quella dello zaffiro ed \u00e8 seconda solo a quella del diamante tra i substrati semiconduttori di uso comune.<\/p>\n\n\n\n

            Di conseguenza:<\/p>\n\n\n\n

              \n
            • Il taglio con sega a filo tradizionale \u00e8 pi\u00f9 lento.<\/li>\n\n\n\n
            • L'usura degli utensili \u00e8 notevole.<\/li>\n\n\n\n
            • I costi di taglio aumentano in modo significativo.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

              Perdita di taglio e scarto di materiale<\/h2>\n\n\n\n

              Durante il taglio, una parte del cristallo viene persa sotto forma di truciolo.<\/p>\n\n\n\n

              Poich\u00e9 la produzione dei lingotti di SiC \u00e8 costosa, ridurre lo spreco di materiale \u00e8 importante dal punto di vista economico.<\/p>\n\n\n\n

              I produttori cercano costantemente di:<\/p>\n\n\n\n

                \n
              • Ridurre al minimo la larghezza del taglio<\/li>\n\n\n\n
              • Migliorare l'efficienza del taglio<\/li>\n\n\n\n
              • Aumentare la resa dei wafer per boule<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                Danni superficiali<\/h2>\n\n\n\n

                L'affettatura meccanica comporta:<\/p>\n\n\n\n

                  \n
                • Microcrepe<\/li>\n\n\n\n
                • Tensione residua<\/li>\n\n\n\n
                • Rugosit\u00e0 della superficie<\/li>\n\n\n\n
                • Danni al sottosuolo<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                  Questi difetti devono essere eliminati durante le successive fasi di levigatura e lucidatura.<\/p>\n\n\n\n

                  La mancata rimozione degli strati danneggiati pu\u00f2 influire negativamente sull'affidabilit\u00e0 del dispositivo.<\/p>\n\n\n\n

                  Tecnologie emergenti di taglio laser<\/h2>\n\n\n\n

                  Per migliorare l'utilizzo del materiale, le tecnologie di taglio a fette basate sul laser stanno suscitando crescente interesse.<\/p>\n\n\n\n

                  Tra i vantaggi figurano:<\/p>\n\n\n\n

                    \n
                  • Riduzione della perdita dovuta al taglio<\/li>\n\n\n\n
                  • Maggiore produttivit\u00e0<\/li>\n\n\n\n
                  • Riduzione degli sprechi di materiale<\/li>\n\n\n\n
                  • Potenziale riduzione dei costi<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                    Molti esperti del settore considerano il taglio laser una tecnologia fondamentale per la futura produzione di wafer in SiC da 8 pollici.<\/p>\n\n\n\n

                    3. Sfide relative alla molatura e alla sfoltitura<\/h1>\n\n\n\n

                    Dopo il taglio, le fette devono essere levigate per raggiungere lo spessore desiderato.<\/p>\n\n\n\n

                    Spessori tipici dei wafer in SiC:<\/p>\n\n\n\n

                    Diametro<\/td>Spessore tipico<\/td><\/tr>
                    4 pollici<\/td>~350 \u03bcm<\/td><\/tr>
                    6 pollici<\/td>circa 500 \u03bcm<\/td><\/tr>
                    8 pollici<\/td>~500\u2013700 \u03bcm<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                    Tra le sfide legate alla rettifica figurano:<\/p>\n\n\n\n

                      \n
                    • Mantenimento del controllo del TTV<\/li>\n\n\n\n
                    • Prevenzione della rottura dei wafer<\/li>\n\n\n\n
                    • Riduzione al minimo delle tensioni residue<\/li>\n\n\n\n
                    • Ottenere uno spessore uniforme<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                      Man mano che i wafer diventano pi\u00f9 sottili, la loro movimentazione meccanica diventa sempre pi\u00f9 difficile.<\/p>\n\n\n\n

                      4. Le sfide della lucidatura<\/h1>\n\n\n\n

                      Perch\u00e9 lucidare \u00e8 difficile<\/h2>\n\n\n\n

                      La lucidatura del SiC \u00e8 notevolmente pi\u00f9 difficile rispetto a quella del silicio.<\/p>\n\n\n\n

                      Tra i motivi figurano:<\/p>\n\n\n\n

                        \n
                      • Elevata durezza<\/li>\n\n\n\n
                      • Elevata inerzia chimica<\/li>\n\n\n\n
                      • Forte legame covalente<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                        I metodi tradizionali di lucidatura sono spesso inefficienti.<\/p>\n\n\n\n

                        Requisiti relativi alla qualit\u00e0 delle superfici<\/h2>\n\n\n\n

                        La crescita epitassiale moderna richiede superfici lisce a livello atomico.<\/p>\n\n\n\n

                        Le specifiche tipiche includono:<\/p>\n\n\n\n

                          \n
                        • Rugosit\u00e0 superficiale (Ra) < 0,1 nm<\/li>\n\n\n\n
                        • Bassa densit\u00e0 di difetti<\/li>\n\n\n\n
                        • Danni minimi al sottosuolo<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                          Anche le imperfezioni su scala nanometrica possono influire sulla qualit\u00e0 dello strato epitassiale.<\/p>\n\n\n\n

                          Lucidatura chimico-meccanica (CMP)<\/h2>\n\n\n\n

                          Il CMP \u00e8 il processo di finitura pi\u00f9 diffuso per i wafer in SiC.<\/p>\n\n\n\n

                          Il processo combina:<\/p>\n\n\n\n

                            \n
                          • Modifica chimica delle superfici<\/li>\n\n\n\n
                          • Abrasione meccanica<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                            Tra le sfide figurano:<\/p>\n\n\n\n

                              \n
                            • Bassa velocit\u00e0 di asportazione del materiale<\/li>\n\n\n\n
                            • Costo elevato della lucidatura<\/li>\n\n\n\n
                            • Ottimizzazione delle sospensioni<\/li>\n\n\n\n
                            • Controllo dei difetti superficiali<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                              Il miglioramento dell'efficienza del CMP rimane un'area di ricerca di grande rilevanza.<\/p>\n\n\n\n

                              Tecnologie emergenti di lucidatura<\/h2>\n\n\n\n

                              Sono in fase di sviluppo diverse tecniche avanzate di lucidatura:<\/p>\n\n\n\n

                              Lucidatura assistita dal plasma<\/h3>\n\n\n\n

                              Utilizza plasma reattivo per ammorbidire lo strato superficiale.<\/p>\n\n\n\n

                              Incisione catalitica (CARE)<\/h3>\n\n\n\n

                              Garantisce superfici estremamente lisce con danni minimi.<\/p>\n\n\n\n

                              Lucidatura elettrochimico-meccanica (ECMP)<\/h3>\n\n\n\n

                              Combina reazioni elettrochimiche e lucidatura meccanica.<\/p>\n\n\n\n

                              Queste tecnologie potrebbero migliorare in modo significativo la qualit\u00e0 e la produttivit\u00e0 dei wafer in futuro.<\/p>\n\n\n\n

                              Implicazioni in termini di costi delle difficolt\u00e0 produttive<\/h1>\n\n\n\n

                              La complessit\u00e0 della lavorazione del SiC incide direttamente sul costo dei wafer.<\/p>\n\n\n\n

                              Tra i principali fattori di costo figurano:<\/p>\n\n\n\n

                                \n
                              • Cicli di crescita dei cristalli di lunga durata<\/li>\n\n\n\n
                              • Elevato consumo energetico<\/li>\n\n\n\n
                              • Basso rendimento di crescita<\/li>\n\n\n\n
                              • Materiali di consumo costosi<\/li>\n\n\n\n
                              • Requisiti di lucidatura di precisione<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                Con la maturazione delle tecnologie di produzione e l'aumento delle scale produttive, si prevede una diminuzione dei costi; tuttavia, nel prossimo futuro i wafer in SiC rimarranno sostanzialmente pi\u00f9 costosi di quelli in silicio.<\/p>\n\n\n\n

                                Tendenze future del settore<\/h1>\n\n\n\n

                                Diverse tendenze stanno plasmando il futuro della produzione di wafer in SiC:<\/p>\n\n\n\n

                                Diametri dei wafer pi\u00f9 grandi<\/h3>\n\n\n\n

                                Transizione verso:<\/p>\n\n\n\n

                                  \n
                                • Produzione da 200 mm (8 pollici)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                  Minore densit\u00e0 di difetti<\/h3>\n\n\n\n

                                  Le tecniche migliorate di crescita dei cristalli mirano a ridurre:<\/p>\n\n\n\n

                                    \n
                                  • Microtubi<\/li>\n\n\n\n
                                  • BPD<\/li>\n\n\n\n
                                  • TSD<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                    Tecnologie avanzate di sezionamento<\/h3>\n\n\n\n

                                    Si prevede che il taglio laser e le tecniche senza intaglio consentiranno di migliorare l'utilizzo del materiale.<\/p>\n\n\n\n

                                    Lucidatura ad alta efficienza<\/h3>\n\n\n\n

                                    I nuovi metodi di lucidatura mirano a ottenere:<\/p>\n\n\n\n

                                      \n
                                    • Maggiore produttivit\u00e0<\/li>\n\n\n\n
                                    • Migliore qualit\u00e0 della superficie<\/li>\n\n\n\n
                                    • Costi di produzione pi\u00f9 bassi<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                      Conclusione<\/h2>\n\n\n\n

                                      La produzione di wafer in SiC di alta qualit\u00e0 \u00e8 uno dei processi pi\u00f9 impegnativi nell'odierna produzione di semiconduttori. Dalla crescita dei cristalli a temperature superiori ai 2000 \u00b0C al taglio di precisione e alla lucidatura atomicamente liscia, ogni fase richiede attrezzature all'avanguardia, un rigoroso controllo dei processi e una profonda competenza in materia di materiali.<\/p>\n\n\n\n

                                      Sebbene negli ultimi anni siano stati compiuti progressi significativi, le sfide legate ai difetti cristallini, alla riduzione delle dimensioni dei wafer, alla durezza dei materiali e all\u2019efficienza della lucidatura continuano a incidere sui costi di produzione e sulle prestazioni dei dispositivi.<\/p>\n\n\n\n

                                      Poich\u00e9 la domanda di veicoli elettrici, sistemi di energia rinnovabile ed elettronica ad alta potenza continua a crescere, le continue innovazioni nelle tecnologie di crescita dei cristalli, taglio e lucidatura svolgeranno un ruolo cruciale nella futura espansione del settore dei semiconduttori in SiC.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                                      Silicon Carbide (SiC) has emerged as one of the most important semiconductor materials for next-generation power electronics. Thanks to its wide bandgap, high thermal conductivity, and superior breakdown electric field, SiC devices offer significant advantages over traditional silicon-based technologies in electric vehicles, renewable energy systems, industrial drives, and high-voltage power conversion. Despite these advantages, manufacturing […]<\/p>\n","protected":false},"author":2,"featured_media":8986,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"_uag_custom_page_level_css":"","footnotes":""},"categories":[12,27],"tags":[1166,1751,2577,1824,2575,1059,2007,1225,1117,2573,1320,1890,2576,2578,2574,1168,1170,1266,1113],"class_list":["post-8985","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-news","category-companynews","tag-4h-sic","tag-8-inch-sic-wafer","tag-chemical-mechanical-polishing-2","tag-cmp","tag-laser-slicing","tag-power-electronics","tag-pvt-growth","tag-semiconductor-manufacturing","tag-semiconductor-materials","tag-sic-boule","tag-sic-crystal-growth","tag-sic-defects","tag-sic-polishing","tag-sic-processing","tag-sic-slicing","tag-sic-substrate","tag-sic-wafer","tag-silicon-carbide-wafer","tag-wide-bandgap-semiconductor"],"acf":[],"uagb_featured_image_src":{"full":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing.webp",740,336,false],"thumbnail":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing-150x150.webp",150,150,true],"medium":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing-300x136.webp",300,136,true],"medium_large":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing.webp",740,336,false],"large":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing.webp",740,336,false],"1536x1536":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing.webp",740,336,false],"2048x2048":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing.webp",740,336,false],"trp-custom-language-flag":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing-18x8.webp",18,8,true],"woocommerce_thumbnail":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing-300x300.webp",300,300,true],"woocommerce_single":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing-600x272.webp",600,272,true],"woocommerce_gallery_thumbnail":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/06\/Crystal-Growth-Slicing-and-Polishing-100x100.webp",100,100,true]},"uagb_author_info":{"display_name":"lydia","author_link":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/it\/author\/lydia\/"},"uagb_comment_info":0,"uagb_excerpt":"Silicon Carbide (SiC) has emerged as one of the most important semiconductor materials for next-generation power electronics. Thanks to its wide bandgap, high thermal conductivity, and superior breakdown electric field, SiC devices offer significant advantages over traditional silicon-based technologies in electric vehicles, renewable energy systems, industrial drives, and high-voltage power conversion. Despite these advantages, manufacturing…","_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/8985","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/users\/2"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=8985"}],"version-history":[{"count":1,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/8985\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":8987,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/8985\/revisions\/8987"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media\/8986"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=8985"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=8985"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/it\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=8985"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}