1.はじめに 電気自動車（EV）の急速な普及により、高出力・高効率の充電インフラに対する需要が高まっている。さまざまな充電技術のなかでも、直流（DC）
産業オートメーションの進歩に伴い、製造、ロジスティクス、スマート生産ラインにおける高性能機器への需要が著しく高まっている。このようなシステムには、精密な
炭化ケイ素（SiC）半導体は、電気自動車での役割を超え、さまざまな最先端アプリケーションの要として台頭してきた。世界的な
第三世代の半導体材料は、電子デバイスの設計を一変させつつある。窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）は、高周波デバイスの主要材料として登場した。
