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第3世代半導体対決：GaN対SiCの性能分析
第三世代の半導体材料は、電子デバイスの設計を一変させつつある。窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）は、高周波デバイスの主要材料として登場した。
第三世代の半導体材料は、電子デバイスの設計を一変させつつある。窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）は、高周波デバイスの主要材料として登場した。
スマートフォンをタップしたり、LEDライトを点灯させたり、電気自動車を運転したりするとき、私たちはそのような目に見えない層について考えることはほとんどない。