Silicon carbide (SiC) wafers have become one of the most important wide-bandgap semiconductor substrates in power electronics, RF communication, and high-temperature applications. Among the most
1. Introduction Silicon carbide (SiC) has become a cornerstone material in power electronics, RF devices, and harsh-environment applications due to its wide bandgap, high thermal
SiCウェハは、その優れた物理的・電気的特性により、現代のパワーエレクトロニクスや高周波デバイスの基礎的な材料となっている。従来の
炭化ケイ素（SiC）基板は、パワーエレクトロニクス、RFデバイス、高温半導体アプリケーションの基幹材料となっている。高効率の電気自動車や再生可能エネルギーへの需要が高まるにつれて、SiC基板はパワーエレクトロニクスやRFデバイス、高温半導体用途の基幹材料となっている。
世界のSiC事情では、パワーエレクトロニクスに使用される6インチまたは8インチの大量生産ウェハーに話題が集中しがちである。しかし、2025年以降
