ニュース SiCエピタキシーの進歩：無欠陥に近い炭化ケイ素パワーデバイスを目指して 炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスは、世界のパワーエレクトロニクス市場で急速にシェアを拡大している。従来のシリコンの物理的性能限界を超えることで
