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炭化ケイ素基板が新エネルギーと5Gの「必須素材」になった理由
1.はじめにシリコンの限界からワイドバンドギャップのブレークスルーへ 世界の産業が電化とデジタル化に向けて加速する中、従来のシリコン（Si）ベースの半導体は物理的な限界に近づきつつある。
1.はじめにシリコンの限界からワイドバンドギャップのブレークスルーへ 世界の産業が電化とデジタル化に向けて加速する中、従来のシリコン（Si）ベースの半導体は物理的な限界に近づきつつある。
In 2026, the semiconductor materials industry is at a historical turning point. Silicon, the backbone of the semiconductor industry, is approaching its physical limits, while
Every time your smartphone charges faster, your electric vehicle travels farther, or high-voltage power equipment operates more efficiently, there is a technology quietly at work
第三世代の半導体材料は、電子デバイスの設計を一変させつつある。窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）は、高周波デバイスの主要材料として登場した。
スマートフォンをタップしたり、LEDライトを点灯させたり、電気自動車を運転したりするとき、私たちはそのような目に見えない層について考えることはほとんどない。