ニュース ハイパワーデバイスにおけるSiCウェハの長期信頼性：フィールドデータが示すもの SiCウェーハは、その広いバンドギャップ、高い熱伝導性、優れた絶縁破壊強度により、次世代の高出力・高電圧デバイスの基盤となっている。一方
