1. Inleiding De snelle verspreiding van elektrische voertuigen (EV's) heeft de vraag naar een krachtige en efficiënte laadinfrastructuur doen toenemen. Van de verschillende oplaadtechnologieën is gelijkstroom (DC)
Siliciumcarbide (SiC) halfgeleiders zijn hun rol in elektrische voertuigen ontgroeid en zijn nu een hoeksteen in een verscheidenheid aan geavanceerde toepassingen. Naarmate de wereldwijde
Halfgeleidermaterialen van de derde generatie transformeren het ontwerp van elektronische apparaten. Gallium Nitride (GaN) en Silicium Carbide (SiC) hebben zich ontpopt als de belangrijkste materialen voor hoogfrequente elektronica.
