Nieuws
Veelvoorkomende uitdagingen in SiC epitaxiale groei en hoe ze te overwinnen
Siliciumcarbide (SiC), met name het polytype 4H-SiC, speelt een fundamentele rol in halfgeleiderelementen met hoog vermogen en hoge frequentie vanwege de uitstekende elektrische, thermische en mechanische eigenschappen.