Met de snelle uitbreiding van kunstmatige intelligentie worden zowel datacenters als geavanceerde halfgeleiderapparaten geconfronteerd met ongekende uitdagingen op het gebied van stroomverbruik en thermisch beheer.
1. Inleiding: Van siliciumlimieten naar doorbraken in de brede bandkloof Naarmate de wereldwijde industrieën versnellen in de richting van elektrificatie en digitalisering, naderen conventionele halfgeleiders op basis van silicium (Si) hun fysische grenzen.
Optische vensters van saffier (Al₂O₃) worden op grote schaal gebruikt in lasersystemen met hoog vermogen, in de ruimtevaart en in ruwe industriële omgevingen vanwege hun uitstekende optische helderheid, mechanische hardheid, thermische
Sapphire (single-crystal aluminum oxide, Al₂O₃) has emerged as a critical material in high-temperature optoelectronics due to its exceptional thermal stability, mechanical strength, chemical inertness, and
Siliciumcarbide (SiC) heeft zich ontpopt tot een belangrijk materiaal in hoogvermogenelektronica, hoogfrequente apparaten en toepassingen in ruwe omgevingen. Zijn superieure thermische geleidbaarheid, hoge doorslagspanning en
Siliciumcarbide (SiC) halfgeleiders zijn hun rol in elektrische voertuigen ontgroeid en zijn nu een hoeksteen in een verscheidenheid aan geavanceerde toepassingen. Naarmate de wereldwijde
