Siliciumcarbide (SiC) is uitgegroeid tot een van de belangrijkste vertegenwoordigers van de derde generatie halfgeleiders en biedt aanzienlijke voordelen ten opzichte van conventioneel silicium in termen van een bredere bandkloof,
Siliciumcarbide (SiC), een halfgeleidermateriaal van de derde generatie, heeft veel aandacht getrokken vanwege de brede bandkloof, het hoge elektrische doorslagveld en de superieure thermische geleidbaarheid. Deze
Naarmate de wereld versnelt in de richting van elektrificatie, kunstmatige intelligentie en mobiliteit op lage hoogte, zijn industrieën op zoek naar materialen die een hogere efficiëntie, een hoger vermogen en minder energieverlies mogelijk maken.
