{"id":8879,"date":"2026-05-11T13:55:50","date_gmt":"2026-05-11T05:55:50","guid":{"rendered":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/?p=8879"},"modified":"2026-05-11T14:07:43","modified_gmt":"2026-05-11T06:07:43","slug":"silicon-carbide-sic-synthesis-properties-applications","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/nl\/silicon-carbide-sic-synthesis-properties-applications\/","title":{"rendered":"Siliciumcarbide (SiC): Synthese, eigenschappen, toepassingen en productieprocessen van SiC-componenten"},"content":{"rendered":"<div style=\"margin-top: 0px; margin-bottom: 0px;\" class=\"sharethis-inline-share-buttons\" ><\/div>\n<h1 class=\"wp-block-heading\">1. Wat is siliciumcarbide (SiC)?<\/h1>\n\n\n\n<p>Siliciumcarbide (SiC), ook bekend als carborundum, is een hoogwaardig niet-metallisch materiaal dat bestaat uit silicium (Si) en koolstof (C). Het wordt veel gebruikt in:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Halfgeleiderelementen (materialen met brede bandkloof)<\/li>\n\n\n\n<li>Industri\u00eble hoogtemperatuurovens<\/li>\n\n\n\n<li>Schuur- en snijgereedschappen<\/li>\n\n\n\n<li>Ruimtevaart en energiesystemen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>SiC wordt beschouwd als een geavanceerd materiaal van de volgende generatie vanwege zijn uitzonderlijke thermische, mechanische en elektrische eigenschappen.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image aligncenter size-large\"><img data-dominant-color=\"e1e2e2\" data-has-transparency=\"false\" style=\"--dominant-color: #e1e2e2;\" fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"683\" src=\"https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-SiC-Synthesis-Properties-Applications-and-Manufacturing-Processes-of-SiC-Components-1024x683.webp\" alt=\"\" class=\"wp-image-8880 not-transparent\" srcset=\"https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-SiC-Synthesis-Properties-Applications-and-Manufacturing-Processes-of-SiC-Components-1024x683.webp 1024w, https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-SiC-Synthesis-Properties-Applications-and-Manufacturing-Processes-of-SiC-Components-300x200.webp 300w, https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-SiC-Synthesis-Properties-Applications-and-Manufacturing-Processes-of-SiC-Components-768x512.webp 768w, https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-SiC-Synthesis-Properties-Applications-and-Manufacturing-Processes-of-SiC-Components-18x12.webp 18w, https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-SiC-Synthesis-Properties-Applications-and-Manufacturing-Processes-of-SiC-Components-600x400.webp 600w, https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-SiC-Synthesis-Properties-Applications-and-Manufacturing-Processes-of-SiC-Components.webp 1536w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">2. Industri\u00eble synthese van siliciumcarbide<\/h1>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">2.1 Acheson-proces (carbothermische reductiemethode)<\/h2>\n\n\n\n<p>De meest gebruikte industri\u00eble methode voor de productie van SiC is het carbothermische reductieproces bij hoge temperatuur:<\/p>\n\n\n\n<p>SiO\u2082 + 3C \u2192 SiC + 2CO\u2191<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Grondstoffen:<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Kwarts (SiO\u2082): 52-54%<\/li>\n\n\n\n<li>Petroleumcoke \/ koolstof: ~35%<\/li>\n\n\n\n<li>Houtsnippers: ~11%<\/li>\n\n\n\n<li>Industrieel zout (NaCl): 1,5-4%<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Functie van elk materiaal:<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Kwarts: siliciumbron<\/li>\n\n\n\n<li>Koolstof: reductiemiddel<\/li>\n\n\n\n<li>Houtsnippers: cre\u00ebren porositeit voor het vrijkomen van gas<\/li>\n\n\n\n<li>Zout: verwijderen van onzuiverheden (Fe-, Al-oxiden)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Procesomstandigheden:<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Reactietemperatuur: 1400\u00b0C tot 2200\u00b0C<\/li>\n\n\n\n<li>Uiteindelijke sinterzone: 1900-2200\u00b0C<\/li>\n\n\n\n<li>Bijproduct: grote hoeveelheid CO-gas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Productvorm:<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Polykristallijn SiC-blok (moet gebroken en gesorteerd worden)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">2.2 Chemische dampdepositie (CVD) voor <a href=\"https:\/\/www.sic-wafers.com\/nl\/product-category\/sic-wafer\/\">Zeer zuiver SiC<\/a><\/h2>\n\n\n\n<p>Voor hoogzuivere toepassingen (vooral SiC van halfgeleiderkwaliteit) wordt chemische dampdepositie gebruikt:<\/p>\n\n\n\n<p>6SiCl\u2084 + C\u2086H\u2086 + 12H\u2082 \u2192 6SiC + 24HCl<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Voordelen:<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Zeer zuivere SiC-kristallen<\/li>\n\n\n\n<li>Gecontroleerde afzettingsstructuur<\/li>\n\n\n\n<li>Geschikt voor halfgeleider- en elektronische toepassingen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">3. Kristalstructuur en fysische eigenschappen van SiC<\/h1>\n\n\n\n<p>Siliciumcarbide bestaat in meerdere polymorfe kristalstructuren:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>\u03b2-SiC (kubische structuur, lage-temperatuurfase)<\/li>\n\n\n\n<li>\u03b1-SiC (hexagonale structuur, hoge-temperatuurfase)<\/li>\n\n\n\n<li>Meer dan 100 polytypen (polytypisme)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Belangrijkste fysische eigenschappen:<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Dichtheid: 3,21 g\/cm\u00b3<\/li>\n\n\n\n<li>Sublimatiepunt: ~2600\u00b0C<\/li>\n\n\n\n<li>Mohs hardheid: 9,2<\/li>\n\n\n\n<li>Warmtegeleidingsvermogen: zeer hoog<\/li>\n\n\n\n<li>Chemische stabiliteit: uitstekend in zure omgevingen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">4. Chemische stabiliteit en gedrag bij hoge temperaturen<\/h1>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">4.1 Oxidatiereactie<\/h2>\n\n\n\n<p>SiC reageert met zuurstof onder hoge temperatuur:<\/p>\n\n\n\n<p>SiC + 2O\u2082 \u2192 SiO\u2082 + CO\u2082<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Oxidatiegedrag per temperatuurbereik:<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>800-1140\u00b0C: poreuze oxidelaag, zwakke bescherming<\/li>\n\n\n\n<li>1300-1500\u00b0C: dichte SiO\u2082-beschermlaag verbetert de weerstand<\/li>\n\n\n\n<li>1500\u00b0C: oxidelaag kan afbreken, versnelde degradatie<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">4.2 Thermische stabiliteit<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Stabiel tot 2600\u00b0C in inerte of reducerende atmosfeer<\/li>\n\n\n\n<li>Uitstekende weerstand tegen thermische schokken<\/li>\n\n\n\n<li>Hoge weerstand tegen kruipvervorming<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">5. Belangrijkste toepassingen van siliciumcarbide<\/h1>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">5.1 Slijp- en polijstmiddelen<\/h2>\n\n\n\n<p>SiC wordt veel gebruikt in:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Slijpschijven<\/li>\n\n\n\n<li>Snijgereedschappen<\/li>\n\n\n\n<li>Precisie polijstmaterialen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Voordelen:<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Extreem hoge hardheid<\/li>\n\n\n\n<li>Hoge slijtvastheid<\/li>\n\n\n\n<li>Stabiele maaiprestaties<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">5.2 Verwarmingselementen (SiC verwarmingsstaven)<\/h2>\n\n\n\n<p>Toepassingen zijn onder andere:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Industri\u00eble ovens<\/li>\n\n\n\n<li>Hoge temperatuur weerstandsverwarmingssystemen<\/li>\n\n\n\n<li>Onderdelen voor ovenverwarming<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Voordelen:<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Bestand tegen hoge temperaturen<\/li>\n\n\n\n<li>Lange levensduur<\/li>\n\n\n\n<li>Stabiele elektrische prestaties<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">5.3 Vuurvaste en constructiematerialen voor hoge temperaturen<\/h2>\n\n\n\n<p>SiC wordt veel gebruikt in de metallurgie en chemische industrie:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Ovenbekledingen<\/li>\n\n\n\n<li>Kroezen<\/li>\n\n\n\n<li>Pijpleidingen voor hoge temperaturen<\/li>\n\n\n\n<li>Systemen voor transport van gesmolten metaal<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">5.4 Ruimtevaart- en energiesystemen<\/h2>\n\n\n\n<p>Toepassingen zijn onder andere:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Raketstraalpijpen<\/li>\n\n\n\n<li>Onderdelen voor gasturbines<\/li>\n\n\n\n<li>Constructiedelen voor hoge temperaturen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">5.5 Halfgeleider- en elektronicatoepassingen (materiaal met brede bandkloof)<\/h2>\n\n\n\n<p>Siliciumcarbide is een belangrijk <strong>halfgeleidermateriaal van de derde generatie<\/strong> gebruikt in:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Elektronische apparaten<\/li>\n\n\n\n<li>Hoogspanningsschakelsystemen<\/li>\n\n\n\n<li>Elektrische voertuigen (EV-voedingsmodules)<\/li>\n\n\n\n<li>Elektronica voor hoge temperaturen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Belangrijkste voordelen in halfgeleiders:<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Brede bandkloof (~3,2 eV)<\/li>\n\n\n\n<li>Hoge doorslagspanning<\/li>\n\n\n\n<li>Hoge thermische geleidbaarheid<\/li>\n\n\n\n<li>Laag energieverlies<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">6. Fabricageprocessen van siliciumcarbide-onderdelen<\/h1>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">6.1 Poederbereiding<\/h2>\n\n\n\n<p>Typische grondstoffen zijn onder andere:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>\u03b1-SiC (grove structuurdeeltjes)<\/li>\n\n\n\n<li>\u03b2-SiC (fijne deeltjes voor verdichting)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Poedervorming is cruciaal voor de uiteindelijke verdichting.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">6.2 Vervormingsmethoden<\/h2>\n\n\n\n<p>Gebruikelijke vormgevingstechnieken:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Droog persen (50-70 MPa)<\/li>\n\n\n\n<li>Isostatisch persen<\/li>\n\n\n\n<li>Extrusie vormen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>De gebruikte ordners zijn onder andere:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Organische bindmiddelen (PVA, CMC)<\/li>\n\n\n\n<li>Solgel bindmiddelen (SiO\u2082, Al\u2082O\u2083 sols)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">6.3 Sintertechnologie\u00ebn<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">(1) Reactiegebonden SiC (RB-SiC)<\/h3>\n\n\n\n<p>Proces:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Si infiltreert in koolstofhoudende preform<\/li>\n\n\n\n<li>Vormt \u03b2-SiC bindingsfase<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Voordelen:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Lage kosten<\/li>\n\n\n\n<li>Goede dimensionale stabiliteit<\/li>\n\n\n\n<li>Industri\u00eble schaalbaarheid<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">(2) Warmgeperst SiC (HP-SiC)<\/h3>\n\n\n\n<p>Procesomstandigheden:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Temperatuur: 1300-1500\u00b0C<\/li>\n\n\n\n<li>Druk: 70-90 MPa<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Voordelen:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Dichtheid bij theorie<\/li>\n\n\n\n<li>Hoge mechanische sterkte (380-500 MPa)<\/li>\n\n\n\n<li>Uitstekende weerstand tegen thermische schokken<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p>Beperkingen:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Complexe geometrische beperkingen<\/li>\n\n\n\n<li>Lage productie-effici\u00ebntie<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">6.4 Bindings- en toevoegsystemen<\/h2>\n\n\n\n<p>Om de prestaties te verbeteren, worden verschillende bindmiddelen gebruikt:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Oxidegebonden SiC (rendabel)<\/li>\n\n\n\n<li>Siliciumnitride-gebonden SiC (hoge oxidatieweerstand)<\/li>\n\n\n\n<li>Siliciumoxynitride-gebonden SiC (evenwichtige prestaties)<\/li>\n\n\n\n<li>Zelfgebonden SiC (hoge zuiverheid en sterkte)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">7. Voordelen en beperkingen van siliciumcarbide<\/h1>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Voordelen:<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Extreem hoge hardheid<\/li>\n\n\n\n<li>Uitstekende thermische geleidbaarheid<\/li>\n\n\n\n<li>Uitstekende stabiliteit bij hoge temperaturen<\/li>\n\n\n\n<li>Sterke chemische weerstand<\/li>\n\n\n\n<li>Hoge weerstand tegen thermische schokken<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Beperkingen:<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Moeilijk sintergedrag<\/li>\n\n\n\n<li>Beperkte verdichting zonder additieven<\/li>\n\n\n\n<li>Gevoeligheid voor oxidatie bij extreme omstandigheden<\/li>\n\n\n\n<li>Hoge productiekosten voor geavanceerde kwaliteiten<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">8. Ontwikkelingstrends (Vooruitzichten 2026)<\/h1>\n\n\n\n<p>De siliciumcarbide-industrie ontwikkelt zich snel in de richting van:<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">8.1 SiC-materialen van halfgeleiderkwaliteit<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Zeer zuivere elektronische wafers<\/li>\n\n\n\n<li>Defect-gecontroleerde kristalgroei<\/li>\n\n\n\n<li>Epitaxiale laagoptimalisatie<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">8.2 SiC-wafers met grote diameter<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Uitbreiding naar 6-inch en 8-inch wafels<\/li>\n\n\n\n<li>Hogere productie-effici\u00ebntie<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">8.3 Uitbreiding vermogenselektronica<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>EV-voedingsmodules<\/li>\n\n\n\n<li>Hernieuwbare energiesystemen<\/li>\n\n\n\n<li>Zeer effici\u00ebnte omvormers<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">8.4 Geavanceerde keramische techniek<\/h2>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Structureel-functionele integratie<\/li>\n\n\n\n<li>Hoge temperatuur composiet systemen<\/li>\n\n\n\n<li>Keramische precisieonderdelen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h1 class=\"wp-block-heading\">Conclusie<\/h1>\n\n\n\n<p>Siliciumcarbide (SiC) is een cruciaal geavanceerd materiaal dat structurele keramische sterkte combineert met halfgeleiderfunctionaliteit. De synthesemethoden, microstructuurcontrole en fabricageprocessen bepalen rechtstreeks de prestaties in industri\u00eble en elektronische toepassingen.<\/p>\n\n\n\n<p>Met de snelle uitbreiding van vermogenselektronica, elektrische voertuigen en geavanceerde productie in 2026, zal siliciumcarbide naar verwachting een hoeksteenmateriaal blijven in de volgende generatie hoogwaardige industrie\u00ebn.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>1. What Is Silicon Carbide (SiC)? Silicon carbide (SiC), also known as carborundum, is a high-performance non-metallic material composed of silicon (Si) and carbon (C). It is widely used in: SiC is considered a next-generation advanced material due to its exceptional thermal, mechanical, and electrical properties. 2. Industrial Synthesis of Silicon Carbide 2.1 Acheson Process [&hellip;]<\/p>\n","protected":false},"author":2,"featured_media":8880,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"_acf_changed":false,"_uag_custom_page_level_css":"","footnotes":""},"categories":[27,12],"tags":[2349,1999,2353,2352,2357,2351,2358,2321,2347,2322,1983,2356,2350,2348,2354,2355],"class_list":["post-8879","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-companynews","category-news","tag-acheson-process-silicon-carbide","tag-high-purity-sic","tag-hot-pressed-sic","tag-reaction-bonded-sic","tag-refractory-sic-materials","tag-sic-ceramic-manufacturing","tag-sic-industrial-applications","tag-sic-power-electronics","tag-sic-synthesis-process","tag-silicon-carbide-applications","tag-silicon-carbide-crystal-structure","tag-silicon-carbide-furnace-components","tag-silicon-carbide-properties","tag-silicon-carbide-sic-2","tag-silicon-carbide-sintering","tag-wide-bandgap-semiconductor-sic"],"acf":[],"uagb_featured_image_src":{"full":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-SiC-Synthesis-Properties-Applications-and-Manufacturing-Processes-of-SiC-Components.webp",1536,1024,false],"thumbnail":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-SiC-Synthesis-Properties-Applications-and-Manufacturing-Processes-of-SiC-Components-150x150.webp",150,150,true],"medium":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-SiC-Synthesis-Properties-Applications-and-Manufacturing-Processes-of-SiC-Components-300x200.webp",300,200,true],"medium_large":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-SiC-Synthesis-Properties-Applications-and-Manufacturing-Processes-of-SiC-Components-768x512.webp",768,512,true],"large":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-SiC-Synthesis-Properties-Applications-and-Manufacturing-Processes-of-SiC-Components-1024x683.webp",800,534,true],"1536x1536":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-SiC-Synthesis-Properties-Applications-and-Manufacturing-Processes-of-SiC-Components.webp",1536,1024,false],"2048x2048":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-SiC-Synthesis-Properties-Applications-and-Manufacturing-Processes-of-SiC-Components.webp",1536,1024,false],"trp-custom-language-flag":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-SiC-Synthesis-Properties-Applications-and-Manufacturing-Processes-of-SiC-Components-18x12.webp",18,12,true],"woocommerce_thumbnail":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-SiC-Synthesis-Properties-Applications-and-Manufacturing-Processes-of-SiC-Components-300x300.webp",300,300,true],"woocommerce_single":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-SiC-Synthesis-Properties-Applications-and-Manufacturing-Processes-of-SiC-Components-600x400.webp",600,400,true],"woocommerce_gallery_thumbnail":["https:\/\/www.sic-wafers.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-SiC-Synthesis-Properties-Applications-and-Manufacturing-Processes-of-SiC-Components-100x100.webp",100,100,true]},"uagb_author_info":{"display_name":"lydia","author_link":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/nl\/author\/lydia\/"},"uagb_comment_info":1,"uagb_excerpt":"1. What Is Silicon Carbide (SiC)? Silicon carbide (SiC), also known as carborundum, is a high-performance non-metallic material composed of silicon (Si) and carbon (C). It is widely used in: SiC is considered a next-generation advanced material due to its exceptional thermal, mechanical, and electrical properties. 2. Industrial Synthesis of Silicon Carbide 2.1 Acheson Process&hellip;","_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/8879","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/users\/2"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=8879"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/8879\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":8882,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/8879\/revisions\/8882"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/media\/8880"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=8879"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=8879"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.sic-wafers.com\/nl\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=8879"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}