Aktualności
Najczęstsze wyzwania związane ze wzrostem epitaksjalnym SiC i sposoby ich przezwyciężenia
Węglik krzemu (SiC), zwłaszcza polipropylen 4H-SiC, odgrywa fundamentalną rolę w urządzeniach półprzewodnikowych o dużej mocy i wysokiej częstotliwości ze względu na jego doskonałe właściwości elektryczne, termiczne i mechaniczne.