Líder mundial no fornecimento de materiais para semicondutores
E-MAIL: [email protected]
A produção de microprocessadores modernos, como a série Skylake da Intel, começa com grandes bolachas de silício. Compreender quantos chips um único wafer pode produzir é
Recentemente, os substratos de carboneto de silício (SiC) de 12 polegadas de grande área surgiram como uma solução promissora, proporcionando uma combinação sem precedentes de propriedades materiais adequadas para dispositivos de RA da próxima geração.
Nos sistemas de fabrico avançados, os verdadeiros factores determinantes do rendimento, da estabilidade e do desempenho a longo prazo não são, muitas vezes, as máquinas, mas sim os materiais que funcionam silenciosamente sob
O carboneto de silício (SiC) emergiu como um dos principais representantes dos semicondutores de terceira geração, oferecendo vantagens significativas em relação ao silício convencional em termos de um maior intervalo de banda,
No domínio dos sistemas microelectromecânicos (MEMS), o desempenho dos dispositivos é altamente sensível à qualidade dos materiais à micro e à nanoescala. Entre todos os parâmetros do substrato, a superfície
As janelas ópticas de safira (Al₂O₃) são amplamente utilizadas em sistemas laser de alta potência, na indústria aeroespacial e em ambientes industriais adversos, devido à sua excelente clareza ótica, dureza mecânica, temperatura
As pastilhas de SiC tornaram-se um material fundamental na eletrónica de potência moderna e nos dispositivos de alta frequência, devido às suas propriedades físicas e eléctricas superiores. Em comparação com as pastilhas
Os Sistemas Micro-Electro-Mecânicos (MEMS) revolucionaram a tecnologia moderna, permitindo sensores miniaturizados, actuadores e dispositivos utilizados nas indústrias automóvel, médica, eletrónica de consumo e aeroespacial. No centro
