แท็ก: SiC defect reduction

ด้วยการพัฒนาอย่างรวดเร็วของอิเล็กทรอนิกส์กำลัง ซิลิคอนคาร์ไบด์ (SiC) ได้กลายเป็นวัสดุที่มีศักยภาพสำหรับอุปกรณ์รุ่นถัดไปเนื่องจากมีช่องว่างพลังงานกว้าง, ความต้านทานต่อความร้อนสูง