แผ่นเวเฟอร์ Si (100) ชนิด N-Type ชนิด P-Doped ขนาด 4 นิ้ว พร้อมฟิล์มบาง Ti + Cu หนา 100 นาโนเมตร + 200 นาโนเมตร บนแผ่นเวเฟอร์ Ti/ซิลิคอน