Silisyum karbür (SiC), geniş bant aralığı, yüksek termal iletkenliği, yüksek kırılma alanı nedeniyle yüksek performanslı güç yarı iletken cihazlarında kritik bir malzeme olarak ortaya çıkmıştır,
Silisyum karbür (SiC), özellikle 4H-SiC poli tipi, mükemmel elektriksel, termal ve mekanik özellikleri nedeniyle yüksek güçlü ve yüksek frekanslı yarı iletken cihazlarda temel bir rol oynamaktadır.
Silisyum karbür (SiC) yarı iletkenler dünyasında bir süperstar olarak ortaya çıkmıştır. Olağanüstü termal iletkenliği, yüksek kırılma gerilimi ve kimyasal kararlılığı ile tanınır,
Silisyum karbür (SiC) epitaksi, günümüzün yüksek voltajlı, yüksek frekanslı ve yüksek verimli yarı iletken cihazlarının arkasındaki en kritik süreçlerden biridir. Her ne kadar bu ince kristal tabaka
