Bu belge, güç elektroniği ve optoelektronik alanlarındaki yüksek performanslı uygulamalar için özel olarak tasarlanmış 4 inçlik silisyum karbür (SiC) gofretlerimize genel bir bakış sunmaktadır. Her ikisi de mevcuttur
Anahtar kelimeler:P Sınıfı SiC Substrat, 8 inç N tipi SiC, 8 inç SiC Gofret, N tipi Silisyum Karbür Kristal, SiC Güç Cihazı Substratı, SiC Kristal P Sınıfı P Sınıfı 8 inç N tipi SiC substrat
8 inç 6 inç N tipi SiC gofretin fotoğrafları Ürün Özeti: 8 inç ve 6 inç N-Tipi SiC Gofret ve Substrat - Dummy ve Prime Sınıfları Yüksek kaliteli 8 inç
SiC yığın gofretin tanımı Silisyum Karbür (SiC) gofretler, elektronik ve optoelektronik ürünlerin üretiminde yaygın olarak kullanılan önemli bir yarı iletken malzeme türüdür.
8 inç Silisyum Karbür Gofretlerin özeti 8 inç Silisyum Karbür Gofretler için özet, çeşitli yönleri kapsayan 8 inç sic gofretin türünü ve derecesini kapsamlı bir şekilde detaylandırmalıdır
8 inç SiC gofretin özeti 8 inç SiC gofretler çeşitli sektörlerde giderek daha fazla popülerlik ve talep kazanıyor. SiC gofret pazarı genişledikçe
Silisyum Karbür Wafer'ın açıklamaları Karborundum olarak da bilinen silisyum karbür (SiC), kimyasal formülü silikon ve karbondan oluşan çok yönlü bir yarı iletken bileşiği temsil eder
4H-N 4H-Yarı SiC substratın özeti 4H-N ve 4H-Yarı SiC substratlar, yarı iletken teknolojisi alanında benzersiz özellikler ve umut verici uygulamalar sunan kilit malzemelerdir.
