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碳化矽 (SiC) 已成為第三代半導體的主要代表之一，與傳統的矽相比，碳化矽在更寬的帶隙方面具有顯著的優勢、,
在全球碳化矽領域中，頭條新聞往往集中在用於功率電子的高產量 6 吋或 8 吋晶圓上。然而，在 2025 年以及進入
