Zprávy
Karbid křemíku má vzhledem ke způsobu pěstování jak C-čelní, tak Si-čelní orientaci.
Karbid křemíku (SiC) je binární sloučenina tvořená křemíkem (Si) a uhlíkem (C) v poměru 1:1, jejíž základní strukturní jednotkou je křemík.
Karbid křemíku (SiC) je binární sloučenina tvořená křemíkem (Si) a uhlíkem (C) v poměru 1:1, jejíž základní strukturní jednotkou je křemík.
Recently, a certain brand’s car launch event has attracted widespread attention, with the technical hotspot of SiC electronic control modules once again under discussion. The
From 2021 to 2022, there was a rapid growth in the global semiconductor market due to the emergence of special demands resulting from the COVID-19
what application of 4H-SEMI sic substrate？ The application of 4H-SEMI SiC substrate is extensive and crucial in various industries. This high-quality substrate offers countless possibilities
Karbid křemíku patří do kategorie polovodičových materiálů se širokou pásmovou propustí. V porovnání s tradičními materiály vykazuje karbid křemíku vynikající fyzikální vlastnosti, které přispívají k tomu, že je možné jej používat jako
