Haberler
Silisyum karbür gofretler, yetiştirilme şekilleri nedeniyle hem C-yüzey hem de Si-yüzey yönelimlerine sahiptir.
Silisyum karbür gofretler (SiC), 1:1 oranında silisyum (Si) ve karbondan (C) oluşan ikili bir bileşiktir ve temel yapısal birimi
Silisyum karbür gofretler (SiC), 1:1 oranında silisyum (Si) ve karbondan (C) oluşan ikili bir bileşiktir ve temel yapısal birimi
Recently, a certain brand’s car launch event has attracted widespread attention, with the technical hotspot of SiC electronic control modules once again under discussion. The
From 2021 to 2022, there was a rapid growth in the global semiconductor market due to the emergence of special demands resulting from the COVID-19
what application of 4H-SEMI sic substrate？ The application of 4H-SEMI SiC substrate is extensive and crucial in various industries. This high-quality substrate offers countless possibilities
Silisyum karbür, geniş bant aralıklı yarı iletken malzemeler kategorisine aittir. Geleneksel malzemelerle kıyaslandığında, silisyum karbür, yarı iletken malzemelerin üretimine katkıda bulunan olağanüstü fiziksel özellikler sergiler.
