1. Úvod: S tím, jak se světový průmysl urychluje směrem k elektrifikaci a digitalizaci, se konvenční polovodiče na bázi křemíku (Si) blíží ke svým fyzikálním limitům.
Karbid křemíku (SiC) se stal základním materiálem pro výkonovou elektroniku, rádiová zařízení a vysokoteplotní polovodičové aplikace. Vzhledem k tomu, že poptávka po vysoce účinných elektrických vozidlech, obnovitelných zdrojích
Karbid křemíku (SiC) změnil prostředí výkonové elektroniky. Od měničů pro elektromobily (EV) až po vysokofrekvenční měniče, SiC umožňuje zařízením pracovat rychleji, hůře,
Epitaxe karbidu křemíku (SiC) je jedním z nejdůležitějších procesů, které stojí za současnými vysokonapěťovými, vysokofrekvenčními a vysoce účinnými polovodičovými zařízeními. Ačkoli je tato tenká krystalická vrstva
In the global SiC landscape, headlines tend to focus on high-volume 6-inch or 8-inch wafers used for power electronics. Yet in 2025 and moving into
