1. Inleiding: Van siliciumlimieten naar doorbraken in de brede bandkloof Naarmate de wereldwijde industrieën versnellen in de richting van elektrificatie en digitalisering, naderen conventionele halfgeleiders op basis van silicium (Si) hun fysische grenzen.
Siliciumcarbide (SiC) substraten zijn een belangrijk materiaal geworden voor vermogenselektronica, RF-apparaten en halfgeleidertoepassingen bij hoge temperaturen. Naarmate de vraag naar hoogrendabele elektrische voertuigen, hernieuwbare
Siliciumcarbide (SiC) heeft het landschap van de vermogenselektronica veranderd. Van omvormers voor elektrische voertuigen (EV) tot hoogfrequente converters, met SiC kunnen apparaten sneller en heter werken,
Epitaxie van siliciumcarbide (SiC) is een van de meest kritische processen achter de hedendaagse halfgeleiderapparaten met hoog voltage, hoge frequentie en hoge efficiëntie. Hoewel deze dunne kristallijne laag
In het mondiale SiC-landschap richten de krantenkoppen zich meestal op wafers van 6 inch of 8 inch met hoge volumes die worden gebruikt voor vermogenselektronica. Maar in 2025 en op weg naar
