Přední světový dodavatel polovodičového materiálu

Štítek: stacking faults

Jak vybrat správný substrát SiC pro výkonovou elektroniku

Zprávy

Analýza nákladů na 300mm vs. 200mm SiC destičky: Při jakém objemu výroby je přechod na 12palcový čip ziskový?

Karbid křemíku (SiC) se stal důležitým materiálem pro výkonnou elektroniku, elektrická vozidla a pokročilé polovodičové součástky. Vzhledem k poptávce po vyšší účinnosti, menších

Zprávy

300mm SiC plátky Výzvy: Technické překážky růstu krystalů ve větších průměrech (EFG vs. PVT)

Karbid křemíku (SiC) se stal základním materiálem pro vysoce výkonnou elektroniku, elektrická vozidla a polovodičové součástky nové generace díky své výjimečné tepelné vodivosti, vysokým

Zprávy

Běžné problémy při epitaxiálním růstu SiC a jejich překonání

Karbid křemíku (SiC), zejména polytyp 4H-SiC, hraje díky svým vynikajícím elektrickým, tepelným a mechanickým vlastnostem základní roli ve výkonných a vysokofrekvenčních polovodičových zařízeních.