Siliziumkarbid (SiC)-Wafer sind zu einem wichtigen Material für Hochleistungselektronik, Elektrofahrzeuge und moderne Halbleiterbauelemente geworden. Da die Nachfrage nach höherer Effizienz, kleineren
Siliziumkarbid (SiC) hat sich aufgrund seiner außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit, seiner hohen Temperaturbeständigkeit und seines hohen Wirkungsgrads zu einem der wichtigsten Materialien für Hochleistungselektronik, Elektrofahrzeuge und Halbleiterbauelemente der nächsten Generation entwickelt.
Siliziumkarbid (SiC), insbesondere der 4H-SiC-Polytyp, spielt aufgrund seiner ausgezeichneten elektrischen, thermischen und mechanischen Eigenschaften eine wichtige Rolle in Hochleistungs- und Hochfrequenz-Halbleiterbauelementen.
