Zprávy
Nová metoda čištění plátků z karbidu křemíku bez použití vysokofrekvenčního záření: Mechanismus a hodnocení výkonu
S rychlým rozvojem výkonové elektroniky se karbid křemíku (SiC) stal slibným materiálem pro zařízení příští generace díky svému širokému pásmovému rozmezí, vysokému