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Detaillierter Überblick über die Herstellung von Leistungsbauelementen aus Siliziumkarbid (SiC)
Siliziumkarbid (SiC) hat sich aufgrund seiner großen Bandlücke, seiner hohen Wärmeleitfähigkeit und seines hohen Durchbruchsfeldes zu einem wichtigen Material für Hochleistungs-Halbleiterbauelemente entwickelt,