Siliziumkarbid (SiC)-Wafer sind zu einem wichtigen Material für Hochleistungselektronik, Elektrofahrzeuge und moderne Halbleiterbauelemente geworden. Da die Nachfrage nach höherer Effizienz, kleineren
Siliziumkarbid (SiC) hat sich aufgrund seiner außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit, seiner hohen Temperaturbeständigkeit und seines hohen Wirkungsgrads zu einem der wichtigsten Materialien für Hochleistungselektronik, Elektrofahrzeuge und Halbleiterbauelemente der nächsten Generation entwickelt.
Silicon carbide (SiC) has emerged as a cornerstone material in high-power electronics, high-frequency devices, and harsh-environment applications. Its superior thermal conductivity, high breakdown voltage, and
