Maailman johtava puolijohdemateriaalin toimittaja
SÄHKÖPOSTI: [email protected]
Piikarbidikiekot (SiC), kolmannen sukupolven puolijohteiden keskeinen substraatti, ovat nopeasti tulossa välttämättömiksi suorituskykyisessä tehoelektroniikassa ja seuraavan sukupolven laitteissa. Niiden erinomaisen
Nykyaikaisissa teollisuus-, auto- ja avaruussovelluksissa sellaisten antureiden tarve, jotka pystyvät toimimaan luotettavasti korkeissa lämpötiloissa, kasvaa nopeasti. Perinteiset piianturit (Si),
Kannettavat näytöt - älykelloista ja lisätyn todellisuuden (AR) kuulokkeista seuraavan sukupolven terveysseurantalaitteisiin - asettavat materiaalitieteen äärirajoille. Nämä järjestelmät vaativat optisia komponentteja, jotka
Piikarbidi (SiC) on nopeasti muuttunut kapeasta laajakaistamateriaalista seuraavan sukupolven tehoelektroniikan strategiseksi perustaksi. Käyttöönotto sähköajoneuvoissa kiihtyy,
Safiiri-ikkunoita käytetään laajalti korkeapainereaktoreissa, korkean lämpötilan optisissa havainnointijärjestelmissä, suuritehoisissa laserlaitteissa ja ilmailu- ja avaruustekniikan instrumenteissa niiden suuren kovuuden, erinomaisen lämpöominaisuuksien ja lämmönkestävyyden vuoksi.
Sapphire Optiset ikkunat määritellään usein niiden huoneenlämpötilan läpäisyarvojen perusteella, mutta monet todelliset optiset järjestelmät toimivat kaukana ympäristön olosuhteista. Korkean lämpötilan reaktoreissa, laser
Piikarbidikiekot (SiC) ovat saaneet nopeasti huomiota suurtaajuus- ja suuritehoelektroniikassa, koska niiden materiaaliominaisuudet ovat paremmat kuin perinteisen piin (Si). .
SiC-kiekkoista on tullut seuraavan sukupolven suuritehoisten ja -jännitteisten laitteiden perusta niiden laajan kaistanleveyden, korkean lämmönjohtavuuden ja erinomaisen läpilyöntikestävyyden ansiosta. Vaikka
