Hírek
Nagy felületű, 12 hüvelykes szilíciumkarbid (SiC) szubsztrátumok: Az AR optikai hullámvezetők fejlesztése
A közelmúltban ígéretes megoldásként jelentek meg a nagy felületű, 12 hüvelykes szilícium-karbid (SiC) szubsztrátumok, amelyek a következő generációs AR eszközökhöz alkalmas anyagtulajdonságok eddig nem látott kombinációját kínálják.