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Substratos de carboneto de silício (SiC) de 12 polegadas de grande área: Avanço das guias de onda ópticas AR
Recentemente, os substratos de carboneto de silício (SiC) de 12 polegadas de grande área surgiram como uma solução promissora, proporcionando uma combinação sem precedentes de propriedades materiais adequadas para dispositivos de RA da próxima geração.